DataSheet26.com


MA856 даташит

Функция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MA856 Panasonic
Panasonic
  Silicon Epitaxial Planar Type

Band Switching Diodes MA2C856 (MA856) Silicon epitaxial planar type Unit: mm For band switching s Features • Extra-small DHD envelope, allowing to insert into a 5 mm pitch hole • Less voltage dependence of the terminal capacitance Ct • Low forward dynamic resistance rf • Optimum for a band switching of tuner 0.2 max. 1 Cathode φ 1.6±0.2 2 Anode s Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Reverse voltage (DC) Forward current (DC) Operating ambient temperature Storage temperature
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "856", "MA"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3856 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59

pdf
2N3856A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59

pdf
2N4856 Motorola  Inc
Motorola Inc

JFET SWITCHING N-CHANNEL-DEPLETION

pdf
2N4856 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

N-CHANNEL J-FET

TECHNICAL DATA N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/385 Devices 2N4856 2N4857 2N4858 2N4859 2N4860 2N4861 Qualified Level JAN JANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +250C unless otherwise noted) 2N4856 2N4859 Parameters / Test Conditions Symbol 2N4857 2N4860 2N4858 2
pdf
2N4856 Taitron Components
Taitron Components

N-Channel Metal Can JFET

P-Channel Power MOSFET’s Part No. Drain-Source Min. On-State Typ. Static DS Brkdwn. Voltg. DS Current Resistance BV DSS(V) ID(ON)(mA) RDS(ON)( Ω) Part No. Drain-Source Min. On-State Brkdwn. Voltg. DS Current BVDSS (V) I D(ON)(A) Typ. Static DS Resistance RDS(ON) (Ω ) Packag
pdf
2N4856 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты