|
MA856 даташитФункция этой детали – «SilICon Epitaxial Planar Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MA856 | Panasonic |
Silicon Epitaxial Planar Type Band Switching Diodes
MA2C856 (MA856)
Silicon epitaxial planar type
Unit: mm
For band switching s Features
• Extra-small DHD envelope, allowing to insert into a 5 mm pitch hole • Less voltage dependence of the terminal capacitance Ct • Low forward dynamic resistance rf • Optimum for a band switching of tuner
0.2 max.
1
Cathode
φ 1.6±0.2
2
Anode
s Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter Reverse voltage (DC) Forward current (DC) Operating ambient temperature Storage temperature |
Это результат поиска, начинающийся с "856", "MA" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3856 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
|
2N3856A | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
|
2N4856 | Motorola Inc |
JFET SWITCHING N-CHANNEL-DEPLETION |
|
2N4856 | Microsemi Corporation |
N-CHANNEL J-FET TECHNICAL DATA
N-CHANNEL J-FET
Qualified per MIL-PRF-19500/385 Devices 2N4856 2N4857 2N4858 2N4859 2N4860 2N4861 Qualified Level JAN JANTX JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +250C unless otherwise noted) 2N4856 2N4859 Parameters / Test Conditions Symbol 2N4857 2N4860 2N4858 2 |
|
2N4856 | Taitron Components |
N-Channel Metal Can JFET P-Channel Power MOSFET’s
Part No. Drain-Source Min. On-State Typ. Static DS Brkdwn. Voltg. DS Current Resistance BV DSS(V) ID(ON)(mA) RDS(ON)( Ω) Part No. Drain-Source Min. On-State Brkdwn. Voltg. DS Current BVDSS (V) I D(ON)(A) Typ. Static DS Resistance RDS(ON) (Ω ) Packag |
|
2N4856 | New Jersey Semiconductor |
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |