|
MAALSS0043 даташитФункция этой детали – «High DynamIC Range Low Noise Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MAALSS0043 | MA-Com |
High Dynamic Range Low Noise Amplifier High Dynamic Range Low Noise Amplifier 800 - 1000 MHz
Features
• Low Noise Figure: 1.2 dB • High Input IP3: +18 dBm at 8 V, 60 mA bias
+6.5 dBm at 3 V, 20 mA bias • High Gain: 16 dB • Single Supply: +3 to +8 VDC • Adjustable current: 20 to 80 mA with external
resistor • Lead-Free SOIC-8 Package • 100% Matte Tin Plating over Copper • Halogen-Free “Green” Mold Compound • 260°C Reflow Compatible • RoHS* Compliant Version of AM50-0003
Description
M/A-COM’s MAALSS0043 is a high dynamic range, GaAs |
Это результат поиска, начинающийся с "0043", "MAALSS0" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1SCA100431R1001 | ABB |
neutral and earth terminals |
|
1YA070043 | ETC |
SOUNDER 115VAC |
|
5962-88670043X | Cypress Semiconductor |
Electrically Erasable Industry Standard SPLD This is an abbreviated datasheet. Contact a Cypress representative for complete specifications. For new designs, please refer to the PALCE22V10
PALC22V10B
Reprogrammable CMOS PAL® Device
Features
• Advanced second generation PAL architecture • Low power — 90 mA max. stan |
|
APT10043 | Advanced Power Technology |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. APT10043JVR
1000V 22A 0.430Ω
S G D S
POWER MOS V ®
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves f |
|
APT10043JVR | Advanced Power Technology |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. APT10043JVR
1000V 22A 0.430Ω
S G D S
POWER MOS V ®
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves f |
|
CL326-0043-0 | Hirose Electric |
RFCO-AXIAL CONNECTORS |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |