DataSheet26.com


MAALSS0043 даташит

Функция этой детали – «High DynamIC Range Low Noise Amplifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MAALSS0043 MA-Com
MA-Com
  High Dynamic Range Low Noise Amplifier

High Dynamic Range Low Noise Amplifier 800 - 1000 MHz Features • Low Noise Figure: 1.2 dB • High Input IP3: +18 dBm at 8 V, 60 mA bias +6.5 dBm at 3 V, 20 mA bias • High Gain: 16 dB • Single Supply: +3 to +8 VDC • Adjustable current: 20 to 80 mA with external resistor • Lead-Free SOIC-8 Package • 100% Matte Tin Plating over Copper • Halogen-Free “Green” Mold Compound • 260°C Reflow Compatible • RoHS* Compliant Version of AM50-0003 Description M/A-COM’s MAALSS0043 is a high dynamic range, GaAs
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "0043", "MAALSS0"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1SCA100431R1001 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf
1YA070043 ETC
ETC

SOUNDER 115VAC

pdf
5962-88670043X Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor

Electrically Erasable Industry Standard SPLD

This is an abbreviated datasheet. Contact a Cypress representative for complete specifications. For new designs, please refer to the PALCE22V10 PALC22V10B Reprogrammable CMOS PAL® Device Features • Advanced second generation PAL architecture • Low power — 90 mA max. stan
pdf
APT10043 Advanced Power Technology
Advanced Power Technology

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT10043JVR 1000V 22A 0.430Ω S G D S POWER MOS V ® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves f
pdf
APT10043JVR Advanced Power Technology
Advanced Power Technology

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT10043JVR 1000V 22A 0.430Ω S G D S POWER MOS V ® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves f
pdf
CL326-0043-0 Hirose Electric
Hirose Electric

RFCO-AXIAL CONNECTORS

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты