|
MADQ01 даташитФункция этой детали – «Power Rf Amplifiers». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MADQ01 | Polyfet RF Devices |
Power RF Amplifiers
polyfet rf devices
Power RF Amplifiers
Power = 15.0 Watts Bandwidth = Gain = 25.0 dB 30 to 470 Mhz Vdd = 28.0 Volts
MADQ01
50 ohms Input/Output Impedance
Description
The MADQ01 is a 15 Watt, 2 stage high gain amplifier module covering a bandwidth of 30-470 Mhz. This compact module design is suitable for military applications in a rugged environment. An ALC pin is provided to control the output power of the module. The MADQ01 may be used as the driver stage for the MBDQ01 module. Absolute Maximum |
Это результат поиска, начинающийся с "01", "MAD" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
001-04009 | Track Star |
Smart Antenna An affordable way to add Automatic Vehicle Location capabilities for fleets that use wirelessly enabled portable computers (Cellular, 802.11 and radio networks supported)
Specifications: GPS Receiver (other devices avail.) • SiRF Star III with WAAS Chipset • L1 Band, 1575.42 |
|
001-04010 | Track Star |
Smart Antenna An affordable way to add Automatic Vehicle Location capabilities for fleets that use wirelessly enabled portable computers (Cellular, 802.11 and radio networks supported)
Specifications: GPS Receiver (other devices avail.) • SiRF Star III with WAAS Chipset • L1 Band, 1575.42 |
|
006200167022800 | Kyocera |
6200 Series / Surface Mount w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
.D
t a
S a
e h
U 4 t e
m o .c
w
w
w
.D
at
h S a
t e e
4U
.
m o c
|
|
011N40P1 | KEC |
KHB011N40P1 Datasheet.es
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
KHB011N40P1/F1/F2
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KHB011N40P1
A O C F E G B Q I
DIM MILLIMETERS _ 0.2 9.9 + A B C D E
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, |
|
014400J1 | IBM Microelectronics |
IBM014400J1
Datasheet.es |
|
0154003.DR | ETC |
154 Series Very Fast Acting Fuses |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |