DataSheet26.com


MAGX-011086 даташит

Функция этой детали – «Gan Wideband Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MAGX-011086 MA-COM
MA-COM
  GaN Wideband Transistor

MAGX-011086 GaN Wideband Transistor 28 V, 4 W DC - 6 GHz Features  GaN on Si HEMT D-Mode Transistor  Suitable for linear and saturated applications  Tunable from DC - 6 GHz  28 V Operation  9 dB Gain at 5.8 GHz  45% Drain Efficiency at 5.8 GHz  100% RF Tested  Thermally-Enhanced 4 mm 24-Lead QFN  RoHS* Compliant Rev. V1 Description The MAGX-011086 GaN HEMT is a wideband transistor optimized for DC - 6 GHz operation in a user friendly package ideal for high bandwidth applications. The device
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "MAGX", "MAGX-011"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MAGX-000025-150000 MA-COM
MA-COM

Power Transistor

MAGX-000025-150000 GaN on SiC HEMT Power Transistor 150 W, 1-2500 MHz Features  GaN on SiC Transistor Technology  Broadband Unmatched Transistor  Common-Source Configuration  +50 V Typical Operation  Class AB Operation  RoHS* Compliant and 260°C Reflow Compatib
pdf
MAGX-000035-010000 MA-COM
MA-COM

Power Transistor

MAGX-000035-010000 MAGX-000035-01000S GaN on SiC HEMT Power Transistor 10W CW, 30 MHz - 3.5 GHz Features  GaN Depletion-Mode HEMT Microwave Transistor  Common-Source configuration  No internal matching  Broadband Class AB operation  RoHS* Compliant
pdf
MAGX-000035-01000P MA-COM
MA-COM

Pulsed Transistor

MAGX-000035-01000P GaN Wideband 10 W CW / Pulsed Transistor in Plastic Package DC - 3.5 GHz Rev. V2 Features  GaN on SiC D-Mode Transistor Technology  Unmatched, Ideal for Pulsed / CW Applications  50 V Typical Bias, Class AB  Common-Source Configuration  Therma
pdf
MAGX-000035-01000S MA-COM
MA-COM

Power Transistor

MAGX-000035-010000 MAGX-000035-01000S GaN on SiC HEMT Power Transistor 10W CW, 30 MHz - 3.5 GHz Features  GaN Depletion-Mode HEMT Microwave Transistor  Common-Source configuration  No internal matching  Broadband Class AB operation  RoHS* Compliant
pdf
MAGX-000035-015000 MA-COM
MA-COM

Power Transistor

MAGX-000035-015000 MAGX-000035-01500S GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 15 W, DC - 3.5 GHz Features  GaN on SiC Depletion Mode Transistor  Common-Source Configuration  Broadband Class AB Operation  Thermally Enhanced Package (Flanged: Cu/W, Flangeles
pdf
MAGX-000035-01500S MA-COM
MA-COM

Power Transistor

MAGX-000035-015000 MAGX-000035-01500S GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 15 W, DC - 3.5 GHz Features  GaN on SiC Depletion Mode Transistor  Common-Source Configuration  Broadband Class AB Operation  Thermally Enhanced Package (Flanged: Cu/W, Flangeles
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты