|
MAN5R60 даташитФункция этой детали – «13mm (0.512 Inch) One Digit NumerIC Frame Display». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MAN5R60 | Fairchild |
13mm (0.512 inch) One Digit NUMERIC FRAME DISPLAY 13mm (0.512 inch) One Digit NUMERIC FRAME DISPLAY
AlInGaP Red (632nm) MAN5H50, MAN5H60 AlInGaP Red (639nm) MAN5R50, MAN5R60 AlInGaP Yellow MAN5Y50, MAN5Y60
TR/QTS030100-001
PACKAGE DIMENSIONS
FEATURES
•Bright Bold Segments •Common Anode/Cathode •Low Power Consumption •Low Current Capability •Neutral Segments •Grey Face •Epoxy Encapsulated Frame •High Performance •High Reliability
APPLICATIONS
•Appliances NOTES:
•Dimensions are in mm (inches) •Tolerances are +/- 0.25 (0.010) unless otherwise st |
Это результат поиска, начинающийся с "5R60", "MAN5" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
BRD65R600C | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
N-CHANNEL MOSFET BRD65R600C
Rev.D Jul.-2016
描述 / Descriptions TO-252 塑封封装 N 沟道 650V 超结工艺功率场效应管。 N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-252 Plastic Package.
DATA SHEET
特征 / Features 低 RDS(on)×Qg,100%雪崩测试,符合 ROHS 标准。 |
|
BRF65R600C | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
N-CHANNEL MOSFET BRF65R600C
Rev.D Jul.-2016
描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 N 沟道 650V 超结工艺功率场效应管。 N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package.
DATA SHEET
特征 / Features 低 RDS(on)×Qg,100%雪崩测试,符合 ROHS 标准� |
|
BRI65R600C | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
N-CHANNEL MOSFET BRI65R600C
Rev.D Jul.-2016
描述 / Descriptions TO-251 塑封封装 N 沟道 650V 超结工艺功率场效应管。 N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-251 Plastic Package.
DATA SHEET
特征 / Features 低 RDS(on)×Qg,100%雪崩测试,符合 ROHS 标准。 |
|
GLSV5R600 | Sprague-Goodman |
SMT INDUCTORS AND TRANSFORMERS ENGINEERING BULLETIN
Sprague-Goodman
SG-890A
Supercedes SG-890.1
SURFCOIL® SMT INDUCTORS AND TRANSFORMERS
(PROFESSIONAL GRADE)
Sprague-Goodman Electronics, Inc.
1700 SHAMES DRIVE, WESTBURY, NY 11590 TEL: 516-334-8700 • FAX: 516-334-8771 E-MAIL: info@spr |
|
GRM155R60G225M | Murata Manufacturing |
Chip Monolithic Ceramic Capacitor Chip Monolithic Ceramic Capacitor
Electrical Characteristics Data 0402 X5R 2.2µF 4V Murata Global Part No : GRM155R60G225M
1. Dimension 3. Impedance/ESR - Frequency
Equipment: 4294A(16044A) 1000
Impedance
100 ( mm) L 1.0+/-0.05 W 0.5+/-0.05 T 0.5+/-0.05
E |
|
GRM155R60J105K | Murata Manufacturing |
Chip Monolithic Ceramic Capacitor Chip Monolithic Ceramic Capacitor
Electrical Characteristics Data 0402 X5R 1μF 6.3V Murata Global Part No: GRM155R60J105K
1. Dimension 3. Impedance/ESR - Frequency
Equipment: 8753D(16092A)
T L
L 1.0 +/-0.05 W 0.5 +/-0.05
1000
Impedance
W
( mm) T 0.5 +/-0 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |