|
MAS1175 даташитФункция этой детали – «IC For 10.00 - 20.00 Mhz Vctcxo». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MAS1175 | Micro Analog systems |
IC FOR 10.00 - 20.00 MHz VCTCXO
DA1175.008 13 July, 2006
MAS1175
IC FOR 10.00 – 20.00 MHz VCTCXO
Low Power Wide Supply Voltage Range True Sine Wave Output Very High Level of Integration • Electrically Trimmable • Very Low Phase Noise • Low Cost • • • •
DESCRIPTION
The MAS1175 is an integrated circuit well suited to build VCTCXO for mobile communication. Only two external components are needed. Temperature calibration is achieved with three calibration points only. The trimming is done through a serial bus and the |
Это результат поиска, начинающийся с "1175", "MAS1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1175 | NEC |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
2SB1175 | Panasonic |
Silicon PNP Epitaxial Planar Type Power Transistors
2SB1175
Silicon PNP epitaxial planar type
For voltage switching Complementary to 2SD1745 ■ Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • I typ |
|
2SB1175 | Kexin |
Silicon PNP Epitaxial Planar Type SMD Type
Silicon PNP Epitaxial Planar Type 2SB1175
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Transistors
Unit: mm 2.30
+0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1
Features
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
+0.2 9.70 -0.2
6.50 +0.2 5.30 |
|
2SC1175 | Micro Electronics |
(2SCxxxx) Medium Power Amplifiers and Switches w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2SC1175 | Sanyo Electric |
(2SCxxxx) Transistor |
|
2SC1175 | Sanyo Electric |
(2SCxxxx) Transistor |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |