DataSheet26.com


MAS1175 даташит

Функция этой детали – «IC For 10.00 - 20.00 Mhz Vctcxo».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MAS1175 Micro Analog systems
Micro Analog systems
  IC FOR 10.00 - 20.00 MHz VCTCXO

DA1175.008 13 July, 2006 MAS1175 IC FOR 10.00 – 20.00 MHz VCTCXO Low Power Wide Supply Voltage Range True Sine Wave Output Very High Level of Integration • Electrically Trimmable • Very Low Phase Noise • Low Cost • • • • DESCRIPTION The MAS1175 is an integrated circuit well suited to build VCTCXO for mobile communication. Only two external components are needed. Temperature calibration is achieved with three calibration points only. The trimming is done through a serial bus and the
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1175", "MAS1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1175 NEC
NEC

PNP SILICON TRANSISTOR

pdf
2SB1175 Panasonic
Panasonic

Silicon PNP Epitaxial Planar Type

Power Transistors 2SB1175 Silicon PNP epitaxial planar type For voltage switching Complementary to 2SD1745 ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE • Large collector current IC • I typ
pdf
2SB1175 Kexin
Kexin

Silicon PNP Epitaxial Planar Type

SMD Type Silicon PNP Epitaxial Planar Type 2SB1175 TO-252 +0.15 1.50 -0.15 Transistors Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. +0.2 9.70 -0.2 6.50 +0.2 5.30
pdf
2SC1175 Micro Electronics
Micro Electronics

(2SCxxxx) Medium Power Amplifiers and Switches

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2SC1175 Sanyo Electric
Sanyo Electric

(2SCxxxx) Transistor

pdf
2SC1175 Sanyo Electric
Sanyo Electric

(2SCxxxx) Transistor

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты