|
MASW-011021-001SMB даташитФункция этой детали – «SilICon Pin Diode Spdt Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MASW-011021-001SMB | MA-COM |
Silicon PIN Diode SPDT Switch MASW-011021
SURMOUNTTM Silicon PIN Diode SPDT Switch 6 - 14 GHz
Features
Specified from 8 GHz to 12 GHz Low Insertion Loss High Isolation Low Parasitic Capacitance and Inductance Surface Mountable, Fully Monolithic Die Glass Encapsulated Construction 20 W Pulsed Power Handling5 Silicon Nitride Passivation Polymer Scratch Protection RoHS* Compliant
Rev. V3
Description
This device is a SURMOUNT™ X-Band monolithic SPDT switch designed for high power, high performance application |
Это результат поиска, начинающийся с "MASW", "MASW-011021-001" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MASW-000105 | M/A-COM Technology |
GaAs SP6T 2.5 V High Power Switch MASW-000105
GaAs SP6T 2.5 V High Power Switch Dual- / Tri- / Quad-Band GSM Applications
Features
• • • • • • • Dual- / tri- / quad-band GSM / GPRS / EDGE 2.5V Operation Harmonics: -70 dBc @ +34.5 dBm & 1 GHz Insertion Loss: 0.5 dB @ 1 GHz TX - RX Isolation: 41 dB @ |
|
MASW-000105 | MA-COM Technology |
GaAs SP6T 2.5V High Power Switch Dual- / Tri- / Quad-Band GSM Applications MASW-000105
GaAs SP6T 2.5 V High Power Switch Dual- / Tri- / Quad-Band GSM Applications
Features
• • • • • • • Dual- / tri- / quad-band GSM / GPRS / EDGE 2.5V Operation Harmonics: -70 dBc @ +34.5 dBm & 1 GHz Insertion Loss: 0.5 dB @ 1 GHz TX - RX Isolation: 41 dB @ |
|
MASW-000822-12770T | Tyco Electronics |
HMICTM PIN Diode SP2T 8 Watt Switch
RoHS Compliant
MASW-000822-12770T Rev 1.0
Functional Diagram: Common Anode Series PIN Diode Switch
Ant Tx Rx
HMICTM PIN Diode SP2T 8 Watt Switch for 0.05 – 6.0 GHz Higher Power Applications
Features
• • • • • • • •
Exceptional Broadband Per |
|
MASW-000823-12770T | M/A-COM Technology |
HMICTM PIN Diode SP2T 13 Watt Switch MASW-000823-12770T
HMICTM PIN Diode SP2T 13 Watt Switch for TD-SCDMA Applications
Features
• • • • • • • •
Exceptional Tx Loss = 0.35 dB Avg @ 2025 MHz, 20mA Exceptional Rx Loss = 0.50 dB Avg @ 2025 MHz, 20mA Higher Tx-Rx Isolation = 31dB Avg @ 2025 MHz, 20mA High |
|
MASW-000825-12770T | M/A-COM Technology |
HMICTM PIN Diode SP2T 20 Watt Switch MASW-000825-12770T
HMICTM PIN Diode SP2T 20 Watt Switch for 0.05 - 6.0 GHz Higher Power Applications
Features
• • • • • • • • • •
Exceptional Broadband Performance, 0.05 - 6.0 GHz Low Loss: Tx = 0.24 dB Avg @ 2025 MHz, 35mA Tx = 0.38 dB Avg @ 3500 MHz, 35mA Hi |
|
MASW-000834-13560T | M/A-COM Technology |
HMICTM PIN Diode SPDT 50 Watt Switch MASW-000834-13560T
HMICTM PIN Diode SPDT 50 Watt Switch for 0.05 - 6.0 GHz Higher Power Applications
Features
• • • • • • • •
Exceptional Broadband Performance, 0.05 - 6.0 GHz Low Loss: TX = 0.33 dB @ 2010 MHz, 5V / 20mA Low Loss: TX = 0.38 dB @ 3.5 GHz, 5V / 20mA |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |