DataSheet26.com


MASWSS0184 даташит

Функция этой детали – «High Power Gaas Dpdt Diversity Switch».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MASWSS0184 Tyco Electronics
Tyco Electronics
  High Power GaAs DPDT Diversity Switch

RoHS Compliant MASWSS0184 V1 Functional Schematic GND Tx Rx High Power GaAs DPDT Diversity Switch DC - 4.0 GHz Features • Ideal for high power diversity switch applications including WiMax, WLAN MESH Networks, and Fixed Wireless Access • Broadband Performance: DC - 4.0 GHz • Low Insertion Loss: 0.8 dB @ 2.5 GHz and 1.2 dB @ 3.5 GHz • High P1dB Compression: 39.5 dBm @ 5 V • Lead-Free 3 mm 12-Lead PQFN Package • 100% Matte Tin Plating over Copper • Halogen-Free “Green” Mold Compound
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "0184", "MASWSS0"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
ECQE10184xF Panasonic
Panasonic

Metallized Polyester Film Capacitor

Plastic Film Capacitors Metallized Polyester Film Capacitor Type: ECQE(F) Non-inductive construction using metallized Polyester film with flame retardant epoxy resin coating ■ Features • Self-healing property • Excellent electrical characteristics • Flame retardant ep
pdf
K7N801845B Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM

K7N803601B K7N801801B Document Title 256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History 1. Initial document. 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at
pdf
K7N801845B-QC13 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

K7N803601B K7N801801B Document Title 256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History 1. Initial document. 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at
pdf
K7N801845B-QC16 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM

pdf
K7N801845B-QC16 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM

pdf
K7N801845B-QC16 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM

K7N803601B K7N801801B Document Title 256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History 1. Initial document. 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты