|
MASWSS0184 даташитФункция этой детали – «High Power Gaas Dpdt Diversity Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MASWSS0184 | Tyco Electronics |
High Power GaAs DPDT Diversity Switch
RoHS Compliant
MASWSS0184 V1
Functional Schematic
GND Tx Rx
High Power GaAs DPDT Diversity Switch DC - 4.0 GHz
Features
• Ideal for high power diversity switch applications including WiMax, WLAN MESH Networks, and Fixed Wireless Access • Broadband Performance: DC - 4.0 GHz • Low Insertion Loss: 0.8 dB @ 2.5 GHz and 1.2 dB @ 3.5 GHz • High P1dB Compression: 39.5 dBm @ 5 V • Lead-Free 3 mm 12-Lead PQFN Package • 100% Matte Tin Plating over Copper • Halogen-Free “Green” Mold Compound |
Это результат поиска, начинающийся с "0184", "MASWSS0" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ECQE10184xF | Panasonic |
Metallized Polyester Film Capacitor Plastic Film Capacitors Metallized Polyester Film Capacitor
Type:
ECQE(F)
Non-inductive construction using metallized Polyester film with flame retardant epoxy resin coating
■ Features
• Self-healing property • Excellent electrical characteristics • Flame retardant ep |
|
K7N801845B | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM K7N803601B K7N801801B
Document Title
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History 1. Initial document. 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at |
|
K7N801845B-QC13 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM K7N803601B K7N801801B
Document Title
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History 1. Initial document. 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at |
|
K7N801845B-QC16 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM |
|
K7N801845B-QC16 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
|
K7N801845B-QC16 | Samsung semiconductor |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM K7N803601B K7N801801B
Document Title
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM
Revision History
Rev. No. 0.0 0.1 0.2 1.0 History 1. Initial document. 1. Add x32 org part and industrial temperature part 1. change scan order(1) form 4T to 6T at |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |