|
MAX1457CWI даташитФункция этой детали – «0.1%-accurate Signal Conditioner For Piezoresistive Sensor Compensation». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MAX1457CWI | Maxim Integrated |
0.1%-Accurate Signal Conditioner for Piezoresistive Sensor Compensation |
Это результат поиска, начинающийся с "1457CWI", "MAX1457" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1457 | Vishay Siliconix |
Bulk Metal Foil Technology 18 Pin Dual-In-Line Hermetic Resistor Network 1457
Vishay Foil Resistors
Bulk Metal® Foil Technology 18 Pin Dual-In-Line Hermetic Resistor Network
The 18 pin “L” brazed DIP is still a 0.300" pin spacing package but overlaps the mounting holes, providing added chip capacity. It is a good choice for a 14 bit R/2R ladder |
|
1457 | Vishay Siliconix |
Bulk Metal Foil Technology 18 Pin Dual-In-Line Hermetic Resistor Network 1457
Vishay Foil Resistors
Bulk Metal® Foil Technology 18 Pin Dual-In-Line Hermetic Resistor Network
The 18 pin “L” brazed DIP is still a 0.300" pin spacing package but overlaps the mounting holes, providing added chip capacity. It is a good choice for a 14 bit R/2R ladder |
|
2SB1457 | Toshiba Semiconductor |
TRANSISTOR (MICRO MOTOR DRIVE/ HAMMER DRIVE / POWER SWITCHING/ AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
2SD1457 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Power Transistors
2SD1457, 2SD1457A
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For power amplification
15.0±0.3 11.0±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 3.2
s Features
q q q
16.2±0.5 12.5 3.5 Solder Dip
High foward current transfer ratio hFE High collector to base voltage VCBO |
|
2SD1457 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SD1457 2SD1457A
DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·High VCBO APPLICATIONS ·For power amplification
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connecte |
|
2SD1457A | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Power Transistors
2SD1457, 2SD1457A
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For power amplification
15.0±0.3 11.0±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 3.2
s Features
q q q
16.2±0.5 12.5 3.5 Solder Dip
High foward current transfer ratio hFE High collector to base voltage VCBO |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |