DataSheet26.com


MTB20N06J3 даташит

Функция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
MTB20N06J3 Cystech Electonics
Cystech Electonics
  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

CYStech Electronics Corp. N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Spec. No. : C925J3 Issued Date : 2013.08.13 Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 MTB20N06J3 Features • Low On Resistance • Simple Drive Requirement • Low Gate Charge • Fast Switching Characteristic • RoHS compliant and halogen-free package BVDSS ID RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 60V 42A 14.6 mΩ(typ) 16.7 mΩ(typ) Symbol MTB20N06J3 Outline TO-252(DPAK) G G:Gate D:Drain S:Source D S Ordering Information Devic
pdf
MTB20N06J3-T3-G Cystech Electonics
Cystech Electonics
  N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты