|
MTB20N06J3 даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MTB20N06J3 | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Spec. No. : C925J3 Issued Date : 2013.08.13 Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9
MTB20N06J3
Features
• Low On Resistance • Simple Drive Requirement • Low Gate Charge • Fast Switching Characteristic • RoHS compliant and halogen-free package
BVDSS ID RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A
60V 42A 14.6 mΩ(typ) 16.7 mΩ(typ)
Symbol
MTB20N06J3
Outline
TO-252(DPAK)
G G:Gate D:Drain S:Source
D S
Ordering Information
Devic |
|
MTB20N06J3-T3-G | Cystech Electonics |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |