|
MZC2.7B5 даташитФункция этой детали – «Small Signal Zener Diodes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MZC2.7B5 | ES Components |
Small Signal Zener Diodes ES Components
MZCxxxAx and MZCxxxBx Family Bare Die
DATA SHEET
Small Signal Zener Diodes
Wire Bondable, Epoxy Attach Bare Die
Rev: B
FEATURES
• Wafer fab by Vishay Semiconductor • Silicon planar Zener diode
MECHANICAL DATA
Top Metal ( Anode )
Back Metal ( Cathode )
Passivation
AlSi AuSb Nitride
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter: Junction Temperature (max) Operating Temperature Range Storage Temperature Range
Symbol: TJ TOP TS
Value: +175 -55 to +175 -55 to +175
Unit °C °C °C
DEVICE CODE
MZC Prefix
MZ |
Это результат поиска, начинающийся с "2.7B5", "MZC2." |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
150D275X9006A2 | Vishay Siliconix |
Solid-Electrolyte TANTALEX Capacitors Hermetically-Sealed/ Axial-Lead |
|
150D275X9006A2 | Vishay Siliconix |
Solid-Electrolyte TANTALEX Capacitors Hermetically-Sealed/ Axial-Lead 150D
Vishay Sprague
Solid-Electrolyte TANTALEX® Capacitors Hermetically-Sealed, Axial-Lead
FEATURES
• These high performance, hermetically-sealed TANTALEX® capacitors have set the standard for solid-electrolyte tantalum capacitors for more than three decades. • High capaci |
|
150D275X9010A2 | Vishay Siliconix |
Solid-Electrolyte TANTALEX Capacitors Hermetically-Sealed/ Axial-Lead |
|
150D275X9010A2 | Vishay Siliconix |
Solid-Electrolyte TANTALEX Capacitors Hermetically-Sealed/ Axial-Lead 150D
Vishay Sprague
Solid-Electrolyte TANTALEX® Capacitors Hermetically-Sealed, Axial-Lead
FEATURES
• These high performance, hermetically-sealed TANTALEX® capacitors have set the standard for solid-electrolyte tantalum capacitors for more than three decades. • High capaci |
|
1N2275 | Microsemi Corporation |
(1N2xxx) SILICON POWER RECTIFIER |
|
1N3275 | New Jersey Semiconductor |
Diode 1.4KV 160A 2-Pin Case R-61 |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |