|
N01L1618N1A даташитФункция этой детали – «1mb Ultra-low Power Asynchronous Cmos Sram 64kx16 Bit». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N01L1618N1A | NanoAmp Solutions |
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 64Kx16 bit NanoAmp Solutions, Inc. 670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035 ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770 www.nanoamp.com
N01L1618N1A
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM
64K × 16 bit Overview
The N01L1618N1A is an integrated memory device containing a 1 Mbit Static Random Access Memory organized as 65,536 words by 16 bits. The device is designed and fabricated using NanoAmp’s advanced CMOS technology to provide both high-speed performance and ultra-low power. The device operates |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |