|
N02L163WC2A даташитФункция этой детали – «2mb Ultra-low Power Asynchronous Cmos Sram 128k X». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N02L163WC2A | NanoAmp Solutions |
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K x 16 bit NanoAmp Solutions, Inc. 670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035 ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770 www.nanoamp.com
N02L163WC2A
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM
128K × 16 bit Overview
The N02L163WC2A is an integrated memory device containing a 2 Mbit Static Random Access Memory organized as 131,072 words by 16 bits. The device is designed and fabricated using NanoAmp’s advanced CMOS technology to provide both high-speed performance and ultra-low power. The device operat |
Это результат поиска, начинающийся с "02L163WC2A", "N02L163W" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N02L163WN1A | NanoAmp Solutions |
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K x 16 bit NanoAmp Solutions, Inc. 1982 Zanker Road, San Jose, CA 95112 ph: 408-573-8878, FAX: 408-573-8877 www.nanoamp.com
N02L163WN1A
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM
128K × 16bit Overview
The N02L163WN1A is an integrated memory device containing a 2 Mbit |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |