|
N08T1630CXB даташитФункция этой детали – «8mb Ultra-low Power Asynchronous Cmos Sram 512k X». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N08T1630CXB | NanoAmp Solutions |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K x 16 bit NanoAmp Solutions, Inc. 670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035 ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770 www.nanoamp.com
N08T1630CxB
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM
512Kx16 bit
Overview
The N08T1630CxB is an integrated memory device containing a low power 8 Mbit SRAM built using a self-refresh DRAM array organized as 512,288 words by 16 bits. It is designed to be identical in operation and interface to standard 6T SRAMS. The device is designed for low standby and operating cur |
|
N08T1630CXB | NanoAmp Solutions |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |