|
N121I1-L02 даташитФункция этой детали – «Tft Lcd Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N121I1-L02 | CMI MEI |
TFT LCD Module www.DataSheet.co.kr
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
Issued Date: Nov. 10, 2004 Model No.: N121I1 -L02
Approval
- CONTENTS REVISION HISTORY 1. GENERAL DESCRIPTION
1.1 OVERVIEW 1.2 FEATURES 1.3 APPLICATION 1.4 GENERAL SPECIFICATIONS 1.5 MECHANICAL SPECIFICATIONS -------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3 4
2. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
2.1 ABSOLUTE RATINGS OF ENVIRONMENT 2.2 ELECTRICAL ABSOLUTE RATINGS 2.2.1 TFT LCD MODULE 2.2.2 BACKLIGHT |
Это результат поиска, начинающийся с "121I1", "N121I1-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
G121I1-L01 | Innolux |
Display Module PRODUCT SPECIFICATION
Doc. Number :
¡¼ ¡¼ ¡½
Tentative Specification Preliminary Specification Approval Specification
MODEL NO.: G121I1 SUFFIX: L01
Customer: APPROVED BY
Name / Title Note
SIGNATURE
Please return 1 copy for your confirmation with your signature and com |
|
N121I1-L03 | CMI MEI |
TFT LCD Module Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
One step solution for LCD / PDP / OLED panel application: Datasheet, inventory and accessory! www.panelook.com
Global LCD Panel Exchange Center
www.panelook.com
Issued Date: Jul.30, 2004 Model No.: N121I1 -L03
Tentative
- CO |
|
2N1211 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-61 |
|
2N1211 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-61 |
|
2SD1211 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) Transistor
2SD1211
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification Complementary to 2SB987
5.9± 0.2
Unit: mm
4.9± 0.2
s Features
q q
High collector to emitter voltage VCEO. Optimum for the driver-stage of a low-frequency and 40 to 60W output amplifier.
(T |
|
2SK1211 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1211
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=800V(Min)
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta= |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |