DataSheet26.com


N13SP003-5 даташит

Функция этой детали – «Rohs Series».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
N13SP003-5 NTC
NTC
  ROHS series

ROHS series Part Number Code. Example : N 20 (1) (2) S P 0 0 5 (3) (4) - 5 (5) (6) (7) (1) NTC. ( Negative Temperature Coefficient ) (2) Nominal Diameter : 08 : 8 mm; 10 : 10 mm; 13 : 13 mm; 15 : 15 mm; (3) SP : Surge Protection (4) Resistance of 25℃ 0R7 : 0.7Ω; 1R3 : 1.3Ω; 2R5 : 2.5Ω; 003~008 : 3~8Ω; 010~080 : 10~80Ω; 120 : 120Ω (5) Tolerance of Resistance L : ± 15% ; M: ± 20% (6) Lead free (ROHS) (7) Forming Type (Kink) 20 : 20 mm DIMENSION FORMING SPECIFICATIONS DiscΦ 8 10 13
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "13SP003", "N13SP00"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
13003 Elite Enterprises
Elite Enterprises

NPN Epitaxial Silicon Transistor

13003 NPN Epitaxial Silicon Transistor TO-220 HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Collector-Emitter Voltage: VCEO=400V Collector Dissipation: PC(max)=1500mW Absolute Maximum Ratings (TA=25oC) Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage C
pdf
13003 HSiN
HSiN

HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCH

13003 STANDARD · · 65 HSiN 13003 PEFORMANCE CURVES 1 Ic(A) SOA (DC) 120 100 % Pc Tj 0.1 80 IS/B 60 Ptot 0.01 40 20 0.001 1 hFE 10 100 Vce(V) 0 1000 0 50 100 150 Tj( ) 200 hFE - Ic 100 100 hFE hFE - Ic Tj=125 Tj=25 Tj=125 Tj=25 10 Tj= − 40
pdf
13003ADA Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

NPN SILICON TRANSISTOR

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION  DESCRIPTION The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers h
pdf
13003ADG Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

NPN SILICON TRANSISTOR

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADG Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTOR „ DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115
pdf
13003BDG Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

NPN SILICON TRANSISTOR

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003BDG Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION „ DESCRIPTION The UTC 13003BDG is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers hi
pdf
13003BR ETC
ETC

MJE13003BR

MJE13003 FEATURES Power dissipation PCM : 1.25 NPN SILICON TRANSISTOR TO 126 W Tamb=25 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER Collector current 1.5 A ICM : Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V 123 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Parameter Collector-base breakdown
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты