|
N13SP003-5 даташитФункция этой детали – «Rohs Series». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
N13SP003-5 | NTC |
ROHS series ROHS series
Part Number Code. Example :
N 20 (1) (2) S P 0 0 5 (3) (4) - 5 (5) (6) (7)
(1) NTC. ( Negative Temperature Coefficient ) (2) Nominal Diameter : 08 : 8 mm; 10 : 10 mm; 13 : 13 mm; 15 : 15 mm; (3) SP : Surge Protection (4) Resistance of 25℃ 0R7 : 0.7Ω; 1R3 : 1.3Ω; 2R5 : 2.5Ω; 003~008 : 3~8Ω; 010~080 : 10~80Ω; 120 : 120Ω (5) Tolerance of Resistance L : ± 15% ; M: ± 20% (6) Lead free (ROHS) (7) Forming Type (Kink)
20 : 20 mm
DIMENSION
FORMING SPECIFICATIONS
DiscΦ 8 10 13 |
Это результат поиска, начинающийся с "13SP003", "N13SP00" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
13003 | Elite Enterprises |
NPN Epitaxial Silicon Transistor 13003 NPN Epitaxial Silicon Transistor
TO-220
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS
Collector-Emitter Voltage: VCEO=400V Collector Dissipation: PC(max)=1500mW
Absolute Maximum Ratings (TA=25oC)
Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage C |
|
13003 | HSiN |
HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCH 13003
STANDARD
· ·
65
HSiN
13003
PEFORMANCE CURVES
1
Ic(A)
SOA (DC)
120 100
%
Pc
Tj
0.1
80
IS/B
60
Ptot
0.01
40 20
0.001 1
hFE
10
100
Vce(V)
0
1000
0
50
100
150
Tj(
) 200
hFE - Ic
100
100
hFE
hFE - Ic
Tj=125 Tj=25
Tj=125
Tj=25
10
Tj= − 40
|
|
13003ADA | Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
13003ADA
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
DESCRIPTION
The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers h |
|
13003ADG | Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
13003ADG
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 |
|
13003BDG | Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
13003BDG
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
DESCRIPTION
The UTC 13003BDG is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers hi |
|
13003BR | ETC |
MJE13003BR
MJE13003
FEATURES Power dissipation PCM : 1.25
NPN SILICON TRANSISTOR
TO 126
W
Tamb=25
1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER
Collector current 1.5 A ICM : Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter Collector-base breakdown |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |