|
NAS1162 даташитФункция этой детали – «Screw». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NAS1162 | AIA |
Screw Aerospace lndudtries
NATIONALAEROSPACESTANDARD
Association
o ooFrR|oxTlggl^ERospAcErNDtsTFrEsAssocrAtroNoF AilERtcAtNc.ALLSIGHTSRESERVED
,i
=
<. LENGTH:r .015
Eu:
ENDSHALLBE FLAT ANDCHAMFERED,
@r CHAMFERPLUSINCOMPLETE
z
;
THREADNOTTOEXCEED TWOPITCHES
;
!H4 -Pg
nz"'
lz*E9 ;
It h0
fi89 Ee9
ESE
uo
=,
F3
E;
3e
|
Это результат поиска, начинающийся с "1162", "NAS1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N1162 | New Jersey Semiconductor |
SILICON PNP TRANSISTOR |
|
2SA1162 | Toshiba Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial Type Transistor 2SA1162
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1162
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
• High voltage and high current: VCEO = −50 V, IC = −150 mA (max) • Excellent hFE linearity: hFE (IC = −0.1 mA)/hFE (IC = −2 mA)
= 0.95 |
|
2SA1162 | HOTTECH |
PNP Transistor FEATURES
Low noise : NF= 1dB(Typ.),10dB (Max.) Complementary to 2SC2712. Small Package.
Plastic-Encapsulate Transistors
2SA1162(PNP)
MAXIMUM RATINGS (TA=25 Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Po |
|
2SA1162 | Bruckewell |
Silicon PNP Epitaxial Type Transistor 2SA1162
Silicon PNP Epitaxial Type Transistor
Features • High voltage and high current: VCEO = -50 V, IC = 150 mA (max) • Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) • Small package • RoHS compliant package Mechanical Data • Case: Molded plastic • Epoxy: UL94-V0 rate flame |
|
2SA1162 | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
Silicon PNP transistor 2SA1162
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
电压和集电极直流电流大,极好的放大线性,高放大,噪声系数低,与 2SC2712 互补� |
|
2SA1162 | TRANSYS Electronics Limited |
Plastic-Encapsulated Transistors Transys
Electronics
L I M I T E D
SOT-23-3L Plastic-Encapsulated Transistors
SOT-23-3L
2SA1162
FEATURES Power dissipation PCM
TRANSISTOR (PNP)
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
1. 02
w.datasheet.esom
: 150
mW (Tamb=25℃)
0. 025 0. 95¡ À
2. 80¡ À 0. 05 1. 60¡ À0. 05 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |