|
NAS1169 даташитФункция этой детали – «Washer». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NAS1169 | Aviaquip |
Washer
WASHER, DIMPLED, 100º
NAS1169
DASH NUMBERS CARBON STEEL 6L 6 CRES STEEL C6L C6 D8E 8L 8 C8L C8 D10E 10L 10M 10 10N 10P D416E 416L 416M 416 416N D516E 516L 516 616L 616 716L 716 816L 816 C516L C516 D616E C616L C616 D716E C716L C716 D816E C816L C816 DD816L DD816 T816L T816 DD716L DD716 T716L T716 DD616L DD616 T616L T616 DD516L DD516 T516L T516 C416 DD416 T416 C416L DD416L T416L C10 DD10 T10 C10L DD10L T10L D08L D08 T8L T8 ALUMINIUM ALLOY D6E D06L D06 T6L T6 CLAD TITANIUM ALUMINIUM
BOLT SIZE (REF)
|
Это результат поиска, начинающийся с "1169", "NAS1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1169 | JMnic |
Silicon PNP Power Transistors JMnic
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1169
DESCRIPTION ¡¤ With MT-200 package ¡¤ High power dissipation APPLICATIONS ¡¤ Audio and general purpose applications
PINNING (see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting b |
|
2SA1169 | Inchange |
Silicon PNP Power Transistors Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1169
DESCRIPTION ·With MT-200 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Audio and general purpose applications
PINNING (see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mo |
|
2SA1169 | Inchange Semiconductor |
POWER TRANSISTOR Datasheet.esaSheet4U.net
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1169
DESCRIPTION ·With MT-200 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Audio and general purpose applications
PINNING (see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to m |
|
2SA1169 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SC-59 T/R |
|
2SB1169 | Panasonic |
Power Transistors Power Transistors
2SB1169, 2SB1169A
Silicon PNP epitaxial planar type
For power amplification
Unit : mm
■ Features
• High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • I type package enabling di |
|
2SB1169A | Panasonic |
Power Transistors Power Transistors
2SB1169, 2SB1169A
Silicon PNP epitaxial planar type
For power amplification
Unit : mm
■ Features
• High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • I type package enabling di |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |