|
NAS6816 даташитФункция этой детали – «Bolt / Hex Head / Tension». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NAS6816 | AIA |
Bolt / Hex Head / Tension @ COPYRIGHT 2013
AEROSPACE STANDARD
INDUSTRIES ASSOCIATION OF AMERICA, INC. ALL RIGHTS RESERVED
U
=
U
Eau. r z
str
U q
U^
E:R Zz) 3'rJE9P2 yeE
trtsE
H NOM/2 +.010
/8t
/14lDRrLL @N (3 HOLES)
15" +5o
LENGTH +..0+5 lL7
GRrP +.010 /U
.020 +.005 MAX TWO-q
INCOMPLETE
l2l THREADS
PO]NT SHALL BE FLAT AND CHAMFERED, SEE PROCUREMENT
SPECIFICATION FOR DETAILS
ATDI
aD l6t
R
CHAM 150 *50 TO OC OPTIONAL
DRIITL 0P /4/ WHEN
sPECrqrED BY P,ART NO.
csK oPTToNAL /13/
LOCKING ELEMENT WHEN SPECIFIED BY PART NUMBER
UNJF-3A THREAD |
Это результат поиска, начинающийся с "6816", "NAS6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N6816 | Microsemi Corporation |
LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE 2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 FAX: (714) 966-5256
Features
• • • • • • Tungsten schottky barrier Oxide passivated structure for very low leakage currents Guard ring protection for increased reverse energy capability Epitaxial structure m |
|
1N6816R | Microsemi Corporation |
LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE 2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 FAX: (714) 966-5256
Features
• • • • • • Tungsten schottky barrier Oxide passivated structure for very low leakage currents Guard ring protection for increased reverse energy capability Epitaxial structure m |
|
AON6816 | Alpha & Omega Semiconductors |
N-Channel MOSFET AON6816
30V Dual N-Channel AlphaMOS
General Description
• Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS • Low Gate Charge • ESD protection • RoHS and Halogen-Free Compliant
Product Summary
VDS ID (at VGS=10V) RDS(ON) (at VGS=10V) RDS( |
|
AT68166F | ATMEL Corporation |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module Features
• • • • • • • • • • • • • • •
16 Mbit SRAM Multi Chip Module Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration Operating Voltage: 3.3V + 0.3V Access Time – 20 ns, 18 ns for AT68166F – <18 ns for AT68166G (in development p |
|
AT68166FT | ATMEL Corporation |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Mult Features
• • • • • • • • • • • • • • •
16 Mbit SRAM Multi Chip Module Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration Operating Voltage: 3.3V + 0.3V, 5V Tolerant Access Time: – 25 ns, 20 ns – 18 ns (preliminary information) Very |
|
AT68166G | ATMEL Corporation |
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module Features
• • • • • • • • • • • • • • •
16 Mbit SRAM Multi Chip Module Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration Operating Voltage: 3.3V + 0.3V Access Time – 20 ns, 18 ns for AT68166F – <18 ns for AT68166G (in development p |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |