NCE01H29T даташит

Функция этой детали – «Nce N-channel Enhancement Mode Power Mosfet».

Показать результаты поиска

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
NCE01H29T	NCE Power Semiconductor	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET http://www.ncepower.com Pb Free Product NCE01H29T NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H29T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features ● VDSS =100V,ID =290A RDS(ON) < 3.0mΩ @ VGS=10V （Typ：2.4mΩ） ● Good stability and uniformity with high EAS ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellen
NCE01H29TC	NCE Power Semiconductor	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET http://www.ncepower.com Pb Free Product NCE01H29TC NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H29TC uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features ● VDSS =100V,ID =290A RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V （Typ：2.7mΩ） ● Good stability and uniformity with high EAS ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excell

[1]

Последние обновления

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N3904	Unisonic Technologies	Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.
NE555	ST Microelectronics	Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты