|
NCEP01T13 даташитФункция этой детали – «N-channel Super Trench Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NCEP01T13 | NCE Power Semiconductor |
N-Channel Super Trench Power MOSFET http://www.ncepower.com
Pb Free Product
NCEP01T13
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Description
The NCEP01T13 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
General Features
● VDS =100V,ID =135A RDS(ON) <4.5mΩ @ VGS=10V
● Excellent gate char |
|
NCEP01T13D | NCE Power Semiconductor |
N-Channel Super Trench Power MOSFET http://www.ncepower.com
Pb Free Product
NCEP01T13D
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Description
The NCEP01T13D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
General Features
● VDS =100V,ID =135A RDS(ON) <4.5mΩ @ VGS=10V
● Excellent gate ch |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |