|
NCP700C даташитФункция этой детали – «BICmos Rf Ldo Regulator». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NCP700C | ON Semiconductor |
BiCMOS RF LDO Regulator NCP700C
200 mA, Ultra Low Noise, High PSRR, BiCMOS RF LDO Regulator
Noise sensitive RF applications such as Power Amplifiers in cell phones and precision instrumentation require very clean power supplies. The NCP700C is 200 mA LDO that provides the engineer with a very stable, accurate voltage with ultra low noise and very high Power Supply Rejection Ratio (PSRR) suitable for RF applications. In order to optimize performance for battery operated portable applications, the NCP700C employs an advanced BiCMOS process to c |
Это результат поиска, начинающийся с "700C", "NCP7" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4700C | Central Semiconductor |
SILICON ZENER DIODE 1N4678C THRU 1N4717C
SILICON ZENER DIODE LOW LEVEL
1.8 VOLT THRU 43 VOLT 500mW, 2% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4678C series devices are silicon Zener diodes designed for applications requiring an extremely low operating |
|
1N4700C | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 13V 2% 500mW 2-Pin DO-35 |
|
AP700C | Advanced Semiconductor |
SILICON PIN DIODE AP700C
SILICON PIN DIODE
PACKAGE STYLE 15
DESCRIPTION:
The AP700C is a Diffused Epitaxial Silicon PIN diode.
MAXIMUM RATINGS
IC VCE PDISS TJ TSTG θJC
O O
100 mA 70 V 500 mW @ TC = 25 C -65 C to +150 C -65 C to +175 C 50 C/W
O O O O
NONE
CHARACTERISTICS |
|
APM2700C | Anpec |
Dual enhancement Mode MOSFET APM2700C
Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel)
Features
•
N-Channel 20V/1.8A, RDS(ON)=170mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=270mΩ(typ.) @ VGS=2.5V
Pin Description
•
P-Channel -20V/-1.2A, RDS(ON)=360mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=530mΩ(typ.) @ VGS=-2.5V
Top View o |
|
BTA10-700C | ST Microelectronics |
(BTA10-B/C) Standard Triacs
BTA10 B/C BTB10 B/C
STANDARD TRIACS
. . .
FEATURES HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY COMMUTATION : (dV/dt)c > 5 V/µs BTA Family : INSULATING VOLTAGE = 2500V(RMS) (UL RECOGNIZED : E81734)
DESCRIPTION The BTA/BTB10 B/C triac family are high performance glass pa |
|
BTA12-700C | New Jersey Semiconductor |
Thyristor TRIAC 700V 125A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Isolated |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |