DataSheet26.com


NE25139U74 даташит

Функция этой детали – «General Purpose Dual-gate Gaas Mesfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE25139U74 NEC
NEC
  GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET FEATURES • SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN TAPE & REEL OR BULK Power Gain, GPS (dB) 20 NE25139 POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE GPS 10 VG2S = 1 V VG2S = 0.5 V VG2S = 2 V 10 ID = 10 mA f = 900 MHz 5 NF 0 0 5 10 0 DESCRIPTION The NE251 is a dual gate GaAs FET d
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "25139U74", "NE25139"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE25139 NEC
NEC

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET FEATURES • SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN
pdf
NE25139 NEC
NEC

GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET FEATURES • SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN
pdf
NE25139-T1 NEC
NEC

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET FEATURES • SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN
pdf
NE25139T1U71 NEC
NEC

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET FEATURES • SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN
pdf
NE25139T1U72 NEC
NEC

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET FEATURES • SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN
pdf
NE25139T1U73 NEC
NEC

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET FEATURES • SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты