|
NE25139U74 даташитФункция этой детали – «General Purpose Dual-gate Gaas Mesfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE25139U74 | NEC |
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FEATURES
• SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN TAPE & REEL OR BULK
Power Gain, GPS (dB)
20
NE25139
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
GPS 10 VG2S = 1 V VG2S = 0.5 V VG2S = 2 V 10 ID = 10 mA f = 900 MHz 5
NF 0 0 5 10
0
DESCRIPTION
The NE251 is a dual gate GaAs FET d |
Это результат поиска, начинающийся с "25139U74", "NE25139" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE25139 | NEC |
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FEATURES
• SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN |
|
NE25139 | NEC |
GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FEATURES
• SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN |
|
NE25139-T1 | NEC |
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FEATURES
• SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN |
|
NE25139T1U71 | NEC |
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FEATURES
• SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN |
|
NE25139T1U72 | NEC |
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FEATURES
• SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN |
|
NE25139T1U73 | NEC |
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FEATURES
• SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN UHF TUNER • LOW CRSS: 0.02 pF (TYP) • HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz • LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz • LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm • ION IMPLANTATION • AVAILABLE IN |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |