|
NE3210S01 даташитФункция этой детали – «X To Ku Band Super Low Noise Amplifer». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE3210S01 | NEC |
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3210S01
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm • Gate Width : Wg = 160 µm
ORDERING IN |
|
NE3210S01-T1 | NEC |
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET |
|
NE3210S01-T1B | NEC |
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |