DataSheet26.com


NE3210S01 даташит

Функция этой детали – «X To Ku Band Super Low Noise Amplifer».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE3210S01 NEC
NEC
  X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

DATA SHEET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR NE3210S01 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems. FEATURES • Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm • Gate Width : Wg = 160 µm ORDERING IN
pdf
NE3210S01-T1 NEC
NEC
  X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

pdf
NE3210S01-T1B NEC
NEC
  X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты