DataSheet26.com


NE34018 даташит

Функция этой детали – «L To S Band Low Noise Amplifier N-channel».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE34018 NEC
NEC
  L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

DATA SHEET HJ-FET NE34018 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION NE34018 is a n-channel HJ-FET housed in MOLD package. PACKAGE DIMENSIONS in millimeters FEATURES x Low noise figure NF = 0.6 dB TYP. at f = 2 GHz 2 2.1 ±0.2 1.25 ±0.1 (1.25) 0.60 0.65 +0.1 0.3 +0.1 –0.05 0.3 0.4 –0.05 0.3 +0.1 –0.05 0.15 +0.1 –0.05 0.3 +0.1 –0.05 (1.3) 4 0 to 0.1 3 x High associated gain 2.0 ±0.2 Ga = 16 dB TYP. at f = 2 GHz x x x V63 Gate width: Wg = 400 Pm 4 pins super mini mold Tape & reel
pdf
NE34018-T1 NEC
NEC
  L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

pdf
NE34018-T2 NEC
NEC
  L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты