|
NE3514S02 даташитФункция этой детали – «K Band Super Low Noise Amplifier N-channel Hj-fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE3514S02 | CEL |
K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3514S02
K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
• Super low noise figure and high associated gain NF = 0.75 dB TYP., Ga = 10 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X plastic (S02) package
APPLICATIONS
• 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems
ORDERING INFORMATION
Part Number NE3514S02-T1C NE3514S02-T1D Order Number NE3514S02-T1C-A NE3514S02-T1D-A Package S02 (Pb-Free) Quantity 2 kpcs/reel 10 kpcs/reel Marking D Supplying Form • 8 mm wide e |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |