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Datasheet NE3519M04 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 NE3519M04   N-channel GaAs HJ-FET

PreliminaryData Sheet NE3519M04 N-channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise FEATURES R09DS0008EJ0100 Rev.1.00 Oct 21, 2010 Amplifier • Low noise figure and high associated gain NF = 0.40 dB TYP., Ga = 18.5 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 2 GHz • Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (
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datasheet NE3519M04 pdf

NE3519 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
NE3519M04

N-channel GaAs HJ-FET

PreliminaryData Sheet NE3519M04 N-channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise FEATURES R09DS0008EJ0100 Rev.1.00 Oct 21, 2010 Amplifier • Low noise figure and high associated gain NF = 0.40 dB TYP., Ga = 18.5 dB TYP. @VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 2 GHz • Flat-lead 4-pin thin-t
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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