DataSheet26.com


NE429M01-T1 даташит

Функция этой детали – «C To Ku Band Super Low Noise Amplifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE429M01-T1 NEC
NEC
  C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

DATA SHEET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION The NE429M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS, TVRO and another commercial systems. FEATURES • • • Super low noise figure & High associated gain NF = 0.9 dB TYP., Ga = 10 dB TYP. @ f = 12 GHz 6-pin super minimold package Gate width: Wg = 200µm ORDERI
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "429M01", "NE429M01"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE429M01 NEC
NEC

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

DATA SHEET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION The NE429M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associate
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты