DataSheet26.com


NE500100 даташит

Функция этой детали – «(ne500100 / Ne500199) C-band Medium Power Gaas Mesfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE500100 NEC Electronics
NEC Electronics
  (NE500100 / NE500199) C-Band Medium Power GaAs MESFET

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET NE8500100 NE8500199 FEATURES • HIGH OUTPUT POWER: 1 W • HIGH LINEAR GAIN: 9.0 dB • HIGH EFFICIENCY: 37% (PAE) • INDUSTRY STANDARD PACKAGING • THIS DEVICE IS ALSO AVAILABLE AS A TWO-CELL CHIP: NE8500100 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TC = 25 °C unless otherwise noted) SYMBOLS VDS VGD VGS IDS IGS PT TCH TSTG PARAMETERS Drain to Source Voltage Gate to Drain Voltage Gate to Source Voltage Drain Current Gate Current Channel Temperature Storage Temperature UNITS V V V RATINGS 15 -18 -12
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "500100", "NE500"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
0505J2500100JQT Syfer Technology
Syfer Technology

High Q capacitors

[email protected] www.syfer.com High Q capacitors MS range +44 1603 723310 +44 1603 723301 The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te
pdf
0603J2500100JQT Syfer Technology
Syfer Technology

High Q capacitors

[email protected] www.syfer.com High Q capacitors MS range +44 1603 723310 +44 1603 723301 The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te
pdf
0805J2500100JQT Syfer Technology
Syfer Technology

High Q capacitors

[email protected] www.syfer.com High Q capacitors MS range +44 1603 723310 +44 1603 723301 The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te
pdf
BQ500100 Texas Instruments
Texas Instruments

bq500100 20-V High-Side Current Sensor for Wireless Charging

pdf
CPT500100 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Schottky PowerMod

pdf
MBR500100CT Naina Semiconductor
Naina Semiconductor

(MBR50045CT - MBR500100CTR) Schottky Power Diode

Naina Semiconductor Ltd. Features • • • • Guard Ring Protection Low forward voltage drop High surge current capability Up to 100V VRRM MBR50045CT thru MBR500100CTR Silicon Schottky Diode, 500A TWIN TOWER PACKAGE Maximum Ratings (TJ = 25oC unless otherwise specified) P
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты