|
NE500100 даташитФункция этой детали – «(ne500100 / Ne500199) C-band Medium Power Gaas Mesfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE500100 | NEC Electronics |
(NE500100 / NE500199) C-Band Medium Power GaAs MESFET C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET NE8500100 NE8500199
FEATURES
• HIGH OUTPUT POWER: 1 W • HIGH LINEAR GAIN: 9.0 dB • HIGH EFFICIENCY: 37% (PAE) • INDUSTRY STANDARD PACKAGING • THIS DEVICE IS ALSO AVAILABLE AS A TWO-CELL CHIP: NE8500100
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1
(TC = 25 °C unless otherwise noted) SYMBOLS VDS VGD VGS IDS IGS PT TCH TSTG PARAMETERS Drain to Source Voltage Gate to Drain Voltage Gate to Source Voltage Drain Current Gate Current Channel Temperature Storage Temperature UNITS V V V RATINGS 15 -18 -12 |
Это результат поиска, начинающийся с "500100", "NE500" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
0505J2500100JQT | Syfer Technology |
High Q capacitors [email protected] www.syfer.com
High Q capacitors
MS range
+44 1603 723310 +44 1603 723301
The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te |
|
0603J2500100JQT | Syfer Technology |
High Q capacitors [email protected] www.syfer.com
High Q capacitors
MS range
+44 1603 723310 +44 1603 723301
The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te |
|
0805J2500100JQT | Syfer Technology |
High Q capacitors [email protected] www.syfer.com
High Q capacitors
MS range
+44 1603 723310 +44 1603 723301
The Syfer MS range offers a very stable, High Q material system that provides excellent, low loss performance in systems below 3GHz. Available in 0402 to 3640 case sizes with various te |
|
BQ500100 | Texas Instruments |
bq500100 20-V High-Side Current Sensor for Wireless Charging |
|
CPT500100 | Microsemi Corporation |
Schottky PowerMod |
|
MBR500100CT | Naina Semiconductor |
(MBR50045CT - MBR500100CTR) Schottky Power Diode Naina Semiconductor Ltd.
Features
• • • • Guard Ring Protection Low forward voltage drop High surge current capability Up to 100V VRRM
MBR50045CT thru MBR500100CTR
Silicon Schottky Diode, 500A
TWIN TOWER PACKAGE
Maximum Ratings (TJ = 25oC unless otherwise specified) P |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |