|
NE614A даташитФункция этой детали – «Low Power Fm If System». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE614A | NXP Semiconductors |
Low Power FM IF System w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
.D w
t a
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
Это результат поиска, начинающийся с "614A", "NE6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N1614A | New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 200V 15A 2-Pin DO-4 |
|
AQW614A | Etc |
GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] FEATURES
9.78 .385 6.4 .252 3.9±0.2 .154±.008 6.4 .252 3.6±0.2 .142±.008
PhotoMOS RELAYS
7. Eliminates the need for a power supply to drive the power MOSFET 8. Extremely low closed-circuit offset voltages to enable contr |
|
AQW614AX | Etc |
GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] FEATURES
9.78 .385 6.4 .252 3.9±0.2 .154±.008 6.4 .252 3.6±0.2 .142±.008
PhotoMOS RELAYS
7. Eliminates the need for a power supply to drive the power MOSFET 8. Extremely low closed-circuit offset voltages to enable contr |
|
AQW614AZ | Etc |
GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] FEATURES
9.78 .385 6.4 .252 3.9±0.2 .154±.008 6.4 .252 3.6±0.2 .142±.008
PhotoMOS RELAYS
7. Eliminates the need for a power supply to drive the power MOSFET 8. Extremely low closed-circuit offset voltages to enable contr |
|
AT49BV1614A | ATMEL Corporation |
16-megabit 1M x 16/2M x 8 3-volt Only Flash Memory Features
• Single Voltage Read/Write Operation: 2.65V to 3.3V (BV), 3.0V to 3.6V (LV) • Access Time – 70 ns • Sector Erase Architecture • • • • • • • • • • • •
– Thirty-one 32K Word (64K Bytes) Sectors with Individual Write Lockout – Eight 4K W |
|
AT49BV1614A-70CI | ATMEL Corporation |
16-megabit 1M x 16/2M x 8 3-volt Only Flash Memory Features
• Single Voltage Read/Write Operation: 2.65V to 3.3V (BV), 3.0V to 3.6V (LV) • Access Time – 70 ns • Sector Erase Architecture • • • • • • • • • • • •
– Thirty-one 32K Word (64K Bytes) Sectors with Individual Write Lockout – Eight 4K W |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |