DataSheet26.com


NE614A даташит

Функция этой детали – «Low Power Fm If System».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE614A NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
  Low Power FM IF System

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "614A", "NE6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N1614A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Switching 200V 15A 2-Pin DO-4

pdf
AQW614A Etc
Etc

GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type]

GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] FEATURES 9.78 .385 6.4 .252 3.9±0.2 .154±.008 6.4 .252 3.6±0.2 .142±.008 PhotoMOS RELAYS 7. Eliminates the need for a power supply to drive the power MOSFET 8. Extremely low closed-circuit offset voltages to enable contr
pdf
AQW614AX Etc
Etc

GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type]

GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] FEATURES 9.78 .385 6.4 .252 3.9±0.2 .154±.008 6.4 .252 3.6±0.2 .142±.008 PhotoMOS RELAYS 7. Eliminates the need for a power supply to drive the power MOSFET 8. Extremely low closed-circuit offset voltages to enable contr
pdf
AQW614AZ Etc
Etc

GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type]

GU (General Use) Type [2-Channel (Form A Form B) Type] FEATURES 9.78 .385 6.4 .252 3.9±0.2 .154±.008 6.4 .252 3.6±0.2 .142±.008 PhotoMOS RELAYS 7. Eliminates the need for a power supply to drive the power MOSFET 8. Extremely low closed-circuit offset voltages to enable contr
pdf
AT49BV1614A ATMEL Corporation
ATMEL Corporation

16-megabit 1M x 16/2M x 8 3-volt Only Flash Memory

Features • Single Voltage Read/Write Operation: 2.65V to 3.3V (BV), 3.0V to 3.6V (LV) • Access Time – 70 ns • Sector Erase Architecture • • • • • • • • • • • • – Thirty-one 32K Word (64K Bytes) Sectors with Individual Write Lockout – Eight 4K W
pdf
AT49BV1614A-70CI ATMEL Corporation
ATMEL Corporation

16-megabit 1M x 16/2M x 8 3-volt Only Flash Memory

Features • Single Voltage Read/Write Operation: 2.65V to 3.3V (BV), 3.0V to 3.6V (LV) • Access Time – 70 ns • Sector Erase Architecture • • • • • • • • • • • • – Thirty-one 32K Word (64K Bytes) Sectors with Individual Write Lockout – Eight 4K W
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты