|
NE650103M даташитФункция этой детали – «Necs 10 W L & S-band Power Gaas». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE650103M | ETC |
NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET NEC'S 10 W L & S-BAND NE650103M POWER GaAs MESFET
FEATURES
• LOW COST PLASTIC PACKAGE • USABLE TO 2.7 GHz: PCS, W-CDMA, WLL, Satellite Uplink, BWA • HIGH OUTPUT POWER: 40 dBm TYP • HIGH POWER ADDED EFFICIENCY: 45 % TYP at 2.3 GHz • LOW THERMAL RESISTANCE: 4.0° C/W • LEAD-FREE
2-φ 3.3 ± 0.3 GATE
13.8 ± 0.35 4.2 ± 0.4 5.84 ± 0.2
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)
PACKAGE OUTLINE 3M
20.32 ± 0.15 14.27 ± 0.15 3.5 ± 0.2
DESCRIPTION
NEC's NE650103M is a 10 W GaAs MESFET designed for PCS, W-CDMA, WLL trans |
Это результат поиска, начинающийся с "650103M", "NE6501" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE6501077 | NEC |
10 W L / S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET PRELIMINARY DATA SHEET
GaAs MES FET
NE6501077
10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6501077 is power GaAs FET which provides high gain, high efficiency and high output power in L, S band. To reduce thermal resistance, the device has a PHS (Plat |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |