DataSheet26.com


NE650103M даташит

Функция этой детали – «Necs 10 W L & S-band Power Gaas».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE650103M ETC
ETC
  NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

NEC'S 10 W L & S-BAND NE650103M POWER GaAs MESFET FEATURES • LOW COST PLASTIC PACKAGE • USABLE TO 2.7 GHz: PCS, W-CDMA, WLL, Satellite Uplink, BWA • HIGH OUTPUT POWER: 40 dBm TYP • HIGH POWER ADDED EFFICIENCY: 45 % TYP at 2.3 GHz • LOW THERMAL RESISTANCE: 4.0° C/W • LEAD-FREE 2-φ 3.3 ± 0.3 GATE 13.8 ± 0.35 4.2 ± 0.4 5.84 ± 0.2 OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) PACKAGE OUTLINE 3M 20.32 ± 0.15 14.27 ± 0.15 3.5 ± 0.2 DESCRIPTION NEC's NE650103M is a 10 W GaAs MESFET designed for PCS, W-CDMA, WLL trans
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "650103M", "NE6501"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE6501077 NEC
NEC

10 W L / S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

PRELIMINARY DATA SHEET GaAs MES FET NE6501077 10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE6501077 is power GaAs FET which provides high gain, high efficiency and high output power in L, S band. To reduce thermal resistance, the device has a PHS (Plat
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты