|
NE6510179 даташитФункция этой детали – «1 W L-band Power Gaas Hj-fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE6510179 | NEC |
1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET DATA SHEET
N-CHANNEL GaAs HJ-FET
NE6510179A
1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
DESCRIPTION
The NE6510179A is a 1 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 1 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent distortion. Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.
FEATURES
: Pout = +31.5 dBm TYP. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 900 MH |
|
NE6510179A | NEC |
1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |