DataSheet26.com


NE6510179 даташит

Функция этой детали – «1 W L-band Power Gaas Hj-fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE6510179 NEC
NEC
  1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET

DATA SHEET N-CHANNEL GaAs HJ-FET NE6510179A 1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION The NE6510179A is a 1 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 1 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent distortion. Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures. FEATURES : Pout = +31.5 dBm TYP. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 900 MH
pdf
NE6510179A NEC
NEC
  1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты