|
NE664M04-A даташитФункция этой детали – «NPN SilICon Rf Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE664M04-A | CEL |
NPN SILICON RF TRANSISTOR PHASE-OUT
DATA SHEET
NPN SILICON RF TRANSISTOR
NE664M04
/
2SC5754
JEITA Part No.
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplification • PO (1 dB) = 26.0 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, f = 1.8 GHz, Pin = 15 dBm • High collector efficiency: ηC = 60% • UHS0-HV technology (fT = 25 GHz) adopted • High reliability through use of gold electrodes • Flat-lead 4-pin thin-type su |
Это результат поиска, начинающийся с "664M04", "NE664M0" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE664M04 | California Eastern Labs |
NPN SILICON RF TRANSISTOR PHASE-OUT
DATA SHEET
NPN SILICON RF TRANSISTOR
NE664M04
/
2SC5754
JEITA Part No.
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplificat |
|
NE664M04-T2-A | CEL |
NPN SILICON RF TRANSISTOR PHASE-OUT
DATA SHEET
NPN SILICON RF TRANSISTOR
NE664M04
/
2SC5754
JEITA Part No.
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplificat |
|
LC66404A | Sanyo Semicon Device |
4K/6K/8K-BYTE ROM-CONTAINED SINGLE-CHIP 4-BIT MICROCOMPUTER FOR CONTROL-ORIENTED APPLICATIONS |
|
LC66404A | Sanyo Semicon Device |
Four-Bit Single-Chip Microcontrollers with 4/ 6/ and 8 KB of On-Chip ROM |
|
LC66404A | Sanyo Semicon Device |
Four-Bit Single-Chip Microcontrollers with 4/ 6/ 8/ 12/ and 16 KB of On-Chip ROM |
|
LC66404A | Sanyo Semicon Device |
Four-Bit Single-Chip Microcontrollers with 8/ 12/ and 16 KB of On-Chip ROM |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |