|
NE678M04 даташитФункция этой детали – «Medium Power NPN SilICon High Frequency Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NE678M04 | NEC |
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
MEDIUM POWER NPN SILICON NE678M04 HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
FEATURES
• • • • HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 12 GHz HIGH OUTPUT POWER: P-1dB = 18 dBm at 1.8 GHz HIGH LINEAR GAIN: GL = 13 dB at 1.8 GHz NEW LOW PROFILE M04 PACKAGE: SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead style for better RF performance
+0.40-0.05 2
+0.30
2.05±0.1 1.25±0.1
3
2.0±0.1
R55
1.25 0.650.65
0.650.65
DESCRIPTION
The NE678M04 is fabricated using NEC's HFT3 wafer process. With a transition frequen |
|
NE678M04 | CEL |
NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN SILICON RF TRANSISTOR
NE678M04
/
2SC5753
JEITA Part No.
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW)
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD
FEATURES • Ideal for medium output power amplification • PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm • HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted • High reliability through use of gold electrodes • Flat-lead 4-pin thin-type super minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number NE678M04-A 2SC5753-A
NE678M04-T2-A 2S |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |