DataSheet26.com


NE68139-T1 даташит

Функция этой детали – «Necs NPN SilICon High Frequency Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE68139-T1 NEC
NEC
  NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz • LOW NOISE FIGURE: 1.2 dB at 1 GHz 1.6 dB at 2 GHz NE681 SERIES • HIGH ASSOCIATED GAIN: 15 dB at 1 GHz 12 dB at 2 GHz • LOW COST rs e b m : u E n ot T t n O r . e a N r n p a g E i g t S s n e A i e e E d w h o s l w PL l a r e t o o n f a f DESCRIPTION r d e e o s f c i Th i h f d t e of d m s n o e le fr m a s m l o l c a e c r e s a Ple ils: a t e 5 d 3 1 8 6 E N E B 00 (CHIP) 35 (MICRO-X) NEC's NE681 series of
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "68139", "NE68139"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
NE68139R-T1 NEC
NEC

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NEC's NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz • LOW NOISE FIGURE: 1.2 dB at 1 GHz 1.6 dB at 2 GHz NE681 SERIES • HIGH ASSOCIATED GAIN: 15 dB at 1 GHz 12 dB at 2 GHz • LOW COST rs e b m : u E n ot T t n O r . e a N r n p
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты