|
NEXM103Z5.5V10.5X5TBF даташитФункция этой детали – «Memory Back-up Capacitors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NEXM103Z5.5V10.5X5TBF | NIC |
Memory Back-Up Capacitors Memory Back-Up Capacitors
FEATURES • DOUBLE LAYER CONSTRUCTION • POWER BACK-UP FOR CMOS RAM (UP TO 50μA DISCHARGE CURRENT) • TAPE AND BOX PACKAGING • SUITABLE FOR FLOW SOLDERING • LEAD-FREE FINISH CHARACTERISTICS
Rated Voltage Range Rated Capacitance Range Operating Temp. Range Capacitance Tolerance Load Life Test @ 70°C 1,000 hours Temperature Cycling (5 cycles, -25 ~ +70°C 3.5 ~ 6.5VDC 0.01F ~ 0.22F (10,000μF ~ 220,000μF) -25°C ~ +70°C +80%/-20% (Z) Δ Capacitance Change Maximum ESR Current at 30 minu |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |