|
NEZ1414-2E даташитФункция этой детали – «2w X / Ku-band Power Gaas Mesfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NEZ1414-2E | NEC |
2W X / Ku-BAND POWER GaAs MESFET DATA SHEET
N-CHANNEL GaAs MESFET
NEZ1011-2E, NEZ1414-2E
2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
DESCRIPTION
The NEZ1011-2E and NEZ1414-2E are power GaAs MESFETs which provide high gain, high efficiency and high output in X, Ku-band. The internal input and output matching enables guaranteed performance to be achieved with only a 50 Ω external circuit. To reduce thermal resistance the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. The device incorporates a WSi (tungsten silicide) gate structure for high reliability.
FEATURE |
Это результат поиска, начинающийся с "1414", "NEZ1414" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
200210H14148O.001 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
200210H14148O.002 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
2SB1414 | Panasonic |
Silicon PNP Epitaxial Transistor Power Transistors
2SB1414
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-frequency driver/high power amplification Complementary to 2SD2134
3.8±0.2
Unit: mm
7.5±0.2 4.5±0.2
■ Features
• Excellent current IC characteristics of forward current transfer ratio hFE vs. collector |
|
2SD1414 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SB1024 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Power amplifier and switching applications |
|
2SK1414 | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:EN4230
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1414
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON resistance, low input capacitance, Ultrahigh-speed switching.
· High reliability (Adoption of HVP process).
Package Dimensions
unit:mm 2077A
[2SK1414]
20.0 3.3
5 |
|
55PC1414 | Tyco Electronics |
Spec 55 Wire and Cable Series m o .c U 4 t e e h S a at .D w w w
Spec 55 wire is insulated with modified radiation cross-linked ETFE polymer. It has a temperature rating of -65°C to 200°C continuous, and combines the easy handling of a flexible wire with excellent scrape abrasion and cut-through characteris |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |