|
NEZ5964-4DD даташитФункция этой детали – «4w/8w C-band Power Gaas Fet N-channel Gaas Mes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NEZ5964-4DD | NEC |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET PRELIMINARY DATA SHEET
GaAs MES FET
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET NEZ Series
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer high output power, high gain and high efficiency at C-band for microwave and satellite communications. Internal input and output circuits matched to 50 Ω are designed to provide good flatness of gain and output power in allocated band. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. NEC’s str |
Это результат поиска, начинающийся с "5964", "NEZ5964-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC5964 | Sanyo Semicon Device |
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
Ordering number : ENN7988
2SA2125 / 2SC5964
2SA2125 / 2SC5964
Applications
•
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
DC / DC Converter Applications
DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.
Features
• • • •
A |
|
2SC5964 | ON Semiconductor |
Bipolar Transistor Ordering number : EN7988B
2SA2125/2SC5964
Bipolar Transistor
(–)50V, (–)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
http://onsemi.com
Applicaitons
• DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash
Features
• Adoption of MBIT process
• Low collector t |
|
C5964 | Hamamatsu |
NMOS multichannel detector head |
|
EIC5964-10 | Excelics Semiconductor |
Internally Matched Power FET
EIC5964-10
UPDATED 08/21/2007
5.90-6.40 GHz 10-Watt Internally Matched Power FET
2X 0.079 MIN 4X 0.102
FEATURES
• • • • • • • 5.90–6.40GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +40.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10.0 dB |
|
EIC5964-4 | Excelics Semiconductor |
Internally Matched Power FET
EIC5964-4
UPDATED 08/21/2007
5.90-6.40 GHz 4-Watt Internally Matched Power FET
FEATURES
• • • • • • • 5.90–6.40GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +36.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10.0 dB Power Gain at 1dB Compre |
|
EIC5964-5 | Excelics Semiconductor |
Internally Matched Power FET
EIC5964-5
5.90-6.40 GHz 5-Watt Internally-Matched Power FET
FEATURES
• • • • • • • • 5.90 – 6.40 GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +37.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10.0 dB Power Gain at 1dB Compression 37% Powe |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |