DataSheet26.com


NEZ5964-4DD даташит

Функция этой детали – «4w/8w C-band Power Gaas Fet N-channel Gaas Mes».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NEZ5964-4DD NEC
NEC
  4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

PRELIMINARY DATA SHEET GaAs MES FET 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET NEZ Series 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer high output power, high gain and high efficiency at C-band for microwave and satellite communications. Internal input and output circuits matched to 50 Ω are designed to provide good flatness of gain and output power in allocated band. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. NEC’s str
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5964", "NEZ5964-"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC5964 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications

Ordering number : ENN7988 2SA2125 / 2SC5964 2SA2125 / 2SC5964 Applications • PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features • • • • A
pdf
2SC5964 ON Semiconductor
ON Semiconductor

Bipolar Transistor

Ordering number : EN7988B 2SA2125/2SC5964 Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP http://onsemi.com Applicaitons • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash Features • Adoption of MBIT process • Low collector t
pdf
C5964 Hamamatsu
Hamamatsu

NMOS multichannel detector head

pdf
EIC5964-10 Excelics Semiconductor
Excelics Semiconductor

Internally Matched Power FET

EIC5964-10 UPDATED 08/21/2007 5.90-6.40 GHz 10-Watt Internally Matched Power FET 2X 0.079 MIN 4X 0.102 FEATURES • • • • • • • 5.90–6.40GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +40.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10.0 dB
pdf
EIC5964-4 Excelics Semiconductor
Excelics Semiconductor

Internally Matched Power FET

EIC5964-4 UPDATED 08/21/2007 5.90-6.40 GHz 4-Watt Internally Matched Power FET FEATURES • • • • • • • 5.90–6.40GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +36.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10.0 dB Power Gain at 1dB Compre
pdf
EIC5964-5 Excelics Semiconductor
Excelics Semiconductor

Internally Matched Power FET

EIC5964-5 5.90-6.40 GHz 5-Watt Internally-Matched Power FET FEATURES • • • • • • • • 5.90 – 6.40 GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +37.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10.0 dB Power Gain at 1dB Compression 37% Powe
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты