|
NEZ6472-4DD даташитФункция этой детали – «4w/8w C-band Power Gaas Fet N-channel Gaas Mes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NEZ6472-4DD | NEC |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET PRELIMINARY DATA SHEET
GaAs MES FET
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET NEZ Series
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer high output power, high gain and high efficiency at C-band for microwave and satellite communications. Internal input and output circuits matched to 50 Ω are designed to provide good flatness of gain and output power in allocated band. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. NEC’s str |
Это результат поиска, начинающийся с "6472", "NEZ6472-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N6472 | Microsemi Corporation |
TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
1N6472 | Semtech Corporation |
QPL 1500 Watt Axial Leaded TVS 1N6469 QPL 1500 Watt Axial Leaded TVS
Thru
1N6476
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 DESCRIPTION
The 1N64xx series of transient voltage suppressors are designed to protect military and commercial electronic equipment from overvoltages caused by lightning, ESD, EFT, inductive loa |
|
2N6472 | SavantIC |
(2N6470 - 2N6472) Silicon Power Transistor SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Low collector saturation voltage ·Excellent safe operating area ·High gain at high current APPLICATIONS ·General-purpose types of switching and li |
|
2N6472 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
54AC16472 | Texas Instruments |
18-Bit Registered Transceiver With 3-State Outputs (Rev. A) |
|
74AC16472 | Texas Instruments |
18-Bit Registered Transceiver With 3-State Outputs (Rev. A) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |