DataSheet26.com


NEZ7785-4DD даташит

Функция этой детали – «4w/8w C-band Power Gaas Fet N-channel Gaas Mes».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NEZ7785-4DD NEC
NEC
  4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

PRELIMINARY DATA SHEET GaAs MES FET 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET NEZ Series 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer high output power, high gain and high efficiency at C-band for microwave and satellite communications. Internal input and output circuits matched to 50 Ω are designed to provide good flatness of gain and output power in allocated band. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. NEC’s str
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7785", "NEZ7785-"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
557785-1 Tyco Electronics
Tyco Electronics

Connector

pdf
7447785002 Wurth
Wurth

Power Choke

Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : POWER-CHOKE WE-PD DATUM / DATE : 2004-10-11 7447785002 LF RoHS compliant SPEICHERDROSSEL WE-PD A Mechanische Abmessungen / dimensions : A C Ty
pdf
AD7785 Analog Devices
Analog Devices

20-Bit ADC

3-Channel, Low Noise, Low Power, 20-Bit ∑-Δ ADC with On-Chip In-Amp and Reference AD7785 FEATURES Up to 20 bits effective resolution RMS noise 40 nV @ 4.17 Hz 85 nV @ 16.7 Hz Current: 400 μA typical Power-down: 1 μA maximum Low noise programmable gain instrumentation amp Ba
pdf
BA7785FS ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Headphone / speaker amplifier

Multimedia ICs Headphone / speaker amplifier BA7785FS The internal linear audio circuits of the BA7785FS include a stereo headphone amplifier, BTL monaural speaker amplifier, and an electronic volume circuit, making this IC ideal for LCD TVs and notebook computers. •Applicatio
pdf
EIA7785-2 Excelics Semiconductor
Excelics Semiconductor

7.70-8.50GHz 2-Watt Internally Matched Power FET

EIA7785-2 UPDATED 11/16/2006 7.70-8.50GHz 2-Watt Internally Matched Power FET FEATURES • • • • • • • 7.70– 8.50GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +34 dBm Output Power at 1dB Compression 12.5 dB Power Gain at 1dB Compression 33% Power Added E
pdf
EIA7785-6 Excelics Semiconductor
Excelics Semiconductor

7.70-8.50GHz 6-Watt Internally Matched Power FET

EIA7785-6 UPDATED 11/30/2005 7.70-8.50 GHz 6-Watt Internally Matched Power FET Excelics EIA7785-6 .827±.010 .669 .120 MIN FEATURES • • • • • • 7.70– 8.50GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +38.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10 dB Power
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты