|
NEZ7785-4DD даташитФункция этой детали – «4w/8w C-band Power Gaas Fet N-channel Gaas Mes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NEZ7785-4DD | NEC |
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET PRELIMINARY DATA SHEET
GaAs MES FET
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET NEZ Series
4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer high output power, high gain and high efficiency at C-band for microwave and satellite communications. Internal input and output circuits matched to 50 Ω are designed to provide good flatness of gain and output power in allocated band. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. NEC’s str |
Это результат поиска, начинающийся с "7785", "NEZ7785-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
557785-1 | Tyco Electronics |
Connector |
|
7447785002 | Wurth |
Power Choke Spezifikation für Freigabe / specification for release
Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description :
POWER-CHOKE WE-PD DATUM / DATE : 2004-10-11
7447785002
LF
RoHS compliant
SPEICHERDROSSEL WE-PD
A Mechanische Abmessungen / dimensions :
A C
Ty |
|
AD7785 | Analog Devices |
20-Bit ADC 3-Channel, Low Noise, Low Power, 20-Bit ∑-Δ ADC with On-Chip In-Amp and Reference
AD7785
FEATURES
Up to 20 bits effective resolution RMS noise 40 nV @ 4.17 Hz 85 nV @ 16.7 Hz Current: 400 μA typical Power-down: 1 μA maximum Low noise programmable gain instrumentation amp Ba |
|
BA7785FS | ROHM Semiconductor |
Headphone / speaker amplifier Multimedia ICs
Headphone / speaker amplifier
BA7785FS
The internal linear audio circuits of the BA7785FS include a stereo headphone amplifier, BTL monaural speaker amplifier, and an electronic volume circuit, making this IC ideal for LCD TVs and notebook computers.
•Applicatio |
|
EIA7785-2 | Excelics Semiconductor |
7.70-8.50GHz 2-Watt Internally Matched Power FET EIA7785-2
UPDATED 11/16/2006
7.70-8.50GHz 2-Watt Internally Matched Power FET
FEATURES
• • • • • • • 7.70– 8.50GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +34 dBm Output Power at 1dB Compression 12.5 dB Power Gain at 1dB Compression 33% Power Added E |
|
EIA7785-6 | Excelics Semiconductor |
7.70-8.50GHz 6-Watt Internally Matched Power FET EIA7785-6
UPDATED 11/30/2005
7.70-8.50 GHz 6-Watt Internally Matched Power FET
Excelics
EIA7785-6
.827±.010 .669
.120 MIN
FEATURES
• • • • • • 7.70– 8.50GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms +38.5 dBm Output Power at 1dB Compression 10 dB Power |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |