DataSheet26.com


NEZ7785-8D даташит

Функция этой детали – «4w/8w C-band Power Gaas Fet N-channel Gaas Mes».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NEZ7785-8D NEC
NEC
  4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

PRELIMINARY DATA SHEET GaAs MES FET 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET NEZ Series 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NEZ Series of microwave power GaAs FETs offer high output power, high gain and high efficiency at C-band for microwave and satellite communications. Internal input and output circuits matched to 50 Ω are designed to provide good flatness of gain and output power in allocated band. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. NEC’s str
pdf
NEZ7785-8DD NEC
NEC
  4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты