|
NFS40-7908J даташитФункция этой детали – «Ac-dc / 10w - 85 W MedICal». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NFS40-7908J | Emerson |
AC-DC / 10W - 85 W Medical Embedded Power for Business-Critical Continuity
NFS40 Medical Series
Single & Triple Output
Total Power: Input Voltage: # of Outputs: 40 - 50W 85 - 264 VAC 120 - 370 VDC Single, triple
Rev.06.9.09_118 NFS40 Medical of 4
Special Features
• 5.0 x 3.0 x 1.2 inch package (1U applications) • Industry standard package • Overvoltage and short circuit protection • 40 W with free air convection • EN55022, EN55011 conducted noise level A • UL, VDE and CSA safety approvals • Available RoHS compliant • 2 |
Это результат поиска, начинающийся с "40", "NFS40-79" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
001-04009 | Track Star |
Smart Antenna An affordable way to add Automatic Vehicle Location capabilities for fleets that use wirelessly enabled portable computers (Cellular, 802.11 and radio networks supported)
Specifications: GPS Receiver (other devices avail.) • SiRF Star III with WAAS Chipset • L1 Band, 1575.42 |
|
001-04010 | Track Star |
Smart Antenna An affordable way to add Automatic Vehicle Location capabilities for fleets that use wirelessly enabled portable computers (Cellular, 802.11 and radio networks supported)
Specifications: GPS Receiver (other devices avail.) • SiRF Star III with WAAS Chipset • L1 Band, 1575.42 |
|
011N40P1 | KEC |
KHB011N40P1 Datasheet.es
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
General Description
KHB011N40P1/F1/F2
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
KHB011N40P1
A O C F E G B Q I
DIM MILLIMETERS _ 0.2 9.9 + A B C D E
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, |
|
014400J1 | IBM Microelectronics |
IBM014400J1
Datasheet.es |
|
0154003.DR | ETC |
154 Series Very Fast Acting Fuses |
|
0230400L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |