|
NGB8202N даташитФункция этой детали – «Ignition Igbt». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NGB8202N | ON Semiconductor |
Ignition IGBT NGB8202N, NGB8202AN
Ignition IGBT
20 A, 400 V, N−Channel D2PAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
• Ideal for Coil−on−Plug and Driver−on−Coil Applications • Gate−Emitter ESD Protection • Temperature Compensated Gate−Collecto |
|
NGB8202NT4G | ON Semiconductor |
Ignition IGBT |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |