DataSheet26.com


NGTB05N60R2DT4G даташит

Функция этой детали – «Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )».



Показать результаты поиска

scroll
[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NGTB05N60R2DT4G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

NGTB05N60R2DT4G IGBT 600V, 8A, N-Channel www.onsemi.com Features  Reverse Conducting II IGBT  IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V]  IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5s Short Circuit Capability Applications  General Purpose Inverter Electrical Connection N-Channel 2,4 1 1:Gate 2:Collector 3:Emitter 3 4:Collector Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specified Parameter Collector to Emitter Voltage Gate to Emi
pdf
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты