|
NGTB05N60R2DT4G даташитФункция этой детали – «Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NGTB05N60R2DT4G | ON Semiconductor |
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) NGTB05N60R2DT4G
IGBT 600V, 8A, N-Channel
www.onsemi.com
Features
Reverse Conducting II IGBT IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V] IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5s Short Circuit Capability
Applications
General Purpose Inverter
Electrical Connection
N-Channel 2,4
1 1:Gate 2:Collector 3:Emitter
3 4:Collector
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specified
Parameter
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emi |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |