DataSheet26.com


NJG1103F1 даташит

Функция этой детали – «1.5/1.9ghz Low Noise Amplifier Gaas MmIC».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NJG1103F1 New Japan Radio
New Japan Radio
  1.5/1.9GHz LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC

NJG1103F1 1.5/1.9GHz LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC nGENERAL DESCRIPTION NJG1103F1 is a Low Noise Amplifier GaAs MMIC designed for 1.5GHz and 1.9GHz band digital cellular phone and Japanese PHS handsets. This amplifier provides low noise figure, high gain and high IP3 operated by single low positive power supply. This amplifier can be tuned to wide frequency point. (Best for 1.5GHz or 1.9GHz) Small package of MTP6-1 is adopted. nPACKAGE OUTLINE NJG1103F1 nFEATURES lLow voltage operation lLow current consumption lHigh
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1103F1", "NJG110"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MABA-011031 MA-COM
MA-COM

Transformer

MABA-011031 Transformer, 1:1 Transmission Line 5MHz - 1200MHz Features  Surface mount  1:1 Impedance ratio  260°C reflow compatible  RoHS* compliant, Pb-Free  Available on tape and reel. Rev. V2 Electrical Specifications: Z0 = 75Ω, TA = 25°C, Pin = 0dBm Param
pdf
MJ11031 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ11028/D High-Current Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400
pdf
MJ11031 ON
ON

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ11028/D High-Current Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400
pdf
MJ11031 Seme LAB
Seme LAB

COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR

NPN PNP MJ11029 MJ11031 MJ11033 LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 25.4 (1.0) 10.92 (0.430) 1.57 (0.062) SEME MJ11028 MJ11030 MJ11032 COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR FEATURES 30 .15 (1.187 ) 1 1 6 .89 (0.665) 2 • HIGH DC CURRENT GAIN HFE = 1000 Min
pdf
MJ11031 Mospec
Mospec

POWER TRANSISTOR(50A /60-120V /300W)

A A A
pdf
MJ11031 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans Darlington PNP 90V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-204

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты