|
NJG1103F1 даташитФункция этой детали – «1.5/1.9ghz Low Noise Amplifier Gaas MmIC». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NJG1103F1 | New Japan Radio |
1.5/1.9GHz LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC NJG1103F1
1.5/1.9GHz LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC
nGENERAL DESCRIPTION NJG1103F1 is a Low Noise Amplifier GaAs MMIC designed for 1.5GHz and 1.9GHz band digital cellular phone and Japanese PHS handsets. This amplifier provides low noise figure, high gain and high IP3 operated by single low positive power supply. This amplifier can be tuned to wide frequency point. (Best for 1.5GHz or 1.9GHz) Small package of MTP6-1 is adopted. nPACKAGE OUTLINE
NJG1103F1
nFEATURES lLow voltage operation lLow current consumption lHigh |
Это результат поиска, начинающийся с "1103F1", "NJG110" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MABA-011031 | MA-COM |
Transformer MABA-011031
Transformer, 1:1 Transmission Line 5MHz - 1200MHz
Features
Surface mount 1:1 Impedance ratio 260°C reflow compatible RoHS* compliant, Pb-Free Available on tape and reel.
Rev. V2
Electrical Specifications: Z0 = 75Ω, TA = 25°C, Pin = 0dBm
Param |
|
MJ11031 | Motorola Semiconductors |
50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MJ11028/D
High-Current Complementary Silicon Transistors
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 |
|
MJ11031 | ON |
COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MJ11028/D
High-Current Complementary Silicon Transistors
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 |
|
MJ11031 | Seme LAB |
COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR NPN
PNP MJ11029 MJ11031 MJ11033
LAB
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
25.4 (1.0) 10.92 (0.430) 1.57 (0.062)
SEME
MJ11028 MJ11030 MJ11032
COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR
FEATURES
30 .15 (1.187 )
1
1 6 .89 (0.665)
2
• HIGH DC CURRENT GAIN HFE = 1000 Min |
|
MJ11031 | Mospec |
POWER TRANSISTOR(50A /60-120V /300W) A
A
A
|
|
MJ11031 | New Jersey Semiconductor |
Trans Darlington PNP 90V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-204 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |