|
NJG1812ME4 даташитФункция этой детали – «High Power Dpdt Switch Gaas MmIC». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NJG1812ME4 | New Japan Radio |
HIGH POWER DPDT SWITCH GaAs MMIC NJG1812ME4
HIGH POWER DPDT SWITCH GaAs MMIC
GENERAL DESCRIPTION The NJG1812ME4 is a GaAs DPDT switch MMIC suitable for
antenna swapping of LTE/UMTS/CDMA/GSM applications. The NJG1812ME4 features very low insertion loss, low distortion
and excellent linearity performance down to 1.8V 1bit control voltage at high frequency up to 3GHz. In addition, this switch is able to handle high power signals.
The NJG1812ME4 has ESD protection devices to achieve excellent ESD performances. No DC Blocking capacitors are required f |
Это результат поиска, начинающийся с "1812ME4", "NJG1812" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AXT518124 | Panasonic |
Header AXT5, 6
Narrow-pitch connectors
NARROW-PITCH, THIN AND SLIM CONNECTOR FOR BOARD-TO-FPC CONNECTION
NARROW PITCH (0.4 mm) CONNECTORS F4S SERIES
3. The simple lock structure gives tactile feedback that ensures a superior mating/unmating operation feel.
FEATUR |
|
AXT618124 | Panasonic |
Header AXT5, 6
Narrow-pitch connectors
NARROW-PITCH, THIN AND SLIM CONNECTOR FOR BOARD-TO-FPC CONNECTION
NARROW PITCH (0.4 mm) CONNECTORS F4S SERIES
3. The simple lock structure gives tactile feedback that ensures a superior mating/unmating operation feel.
FEATUR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |