|
NJM2568 даташитФункция этой детали – «Video Amplifier With 75 Ohms Driver». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NJM2568 | New Japan Radio |
Video Amplifier with 75 ohms Driver j
Video Amplifier with 75 ohms Driver
sGENERAL DESCRIPTION THE NJM2568 is a video amplifier with 75 ohms drivers, which includes LPF and BPF of both Y and C system. THE NJM2568 can compose the output circuit of digital video items with a little external components. It is suitable for portable items. sFEATURES + + qOperating Voltage V 1=4.5 to 5.3V,V 2=2.7 to 5.3V + qOperating Current 9.5mAtyp.V =4.8V + 7.3mAtyp.V =3.0V qInternal LPF,BPF qInternal Clamp Discharge qBipolar Technology qPackage Outline SSOP14 sBLOCK DIAGRAM |
Это результат поиска, начинающийся с "2568", "NJM2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD2568 | ROHM Semiconductor |
Power Transistor (400V/ 0.5A) 2SD2568
Transistors
Power Transistor (400V, 0.5A)
2SD2568
zFeatures 1) High breakdown voltage.(BVCEO=400V)
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Limits 400 400 7 0.5 10 150 −55 to +150 Unit V V V A W(Tc=25°C) °C °C
Collector-ba |
|
2SK2568 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK2568
Silicon N-Channel MOS FET
Preliminary
Application
High speed power switching
Features
• • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
TO-3P
D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. S |
|
2SK2568 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK2568
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1017-0300 (Previous: ADE-208-1363) Rev.3.00 Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
• • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outlin |
|
AS4C4256883C | Austin Semiconductor |
256K x 4 DRAM w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
AS5C2568 | Micross |
32K x 8 SRAM 32K x 8 SRAM
SRAM MEMORY ARRAY
AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS
•SMD 5962-88662 •SMD 5962-88552 •MIL-STD-883
FEATURES
• Access Times: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, 70, & 100ns • Battery Backup: 2V data retention • Low power standby • High-performance, low-power CM |
|
AS5C2568 | Austin Semiconductor |
32K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY SRAM
Austin Semiconductor, Inc. 32K x 8 SRAM
SRAM MEMORY ARRAY
FEATURES
• • • • • • • • • Access Times: 12, 15, & 20ns Fast output enable (tDOE) for cache applications Low active power: 400 mW (TYP) Low power standby Fully static operation, no clock or refresh r |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |