|
NJW1191 даташитФункция этой детали – «4-channel ElectronIC Volume». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NJW1191 | New Japan Radio |
4-channel Electronic Volume NJW1191
4-channel Electronic Volume with Input Selector
!GENERAL DESCRIPTION !PACKAGE OUTLINE NJW1191 is 4-channel Electronic Volume with input selector. It includes main volume, balance and fader trim, 4 inputs selector, loudness and tone control. NJW1191 performs low noise and low distortion characteristics with resistance ladder type electrical volume. 2 All of internal status and variables are controlled by I C BUS interface. NJW1191V !FEATURES ●Operating Voltage ●I2C BUS Interface ●Low Output Noise ●Low Dis |
Это результат поиска, начинающийся с "1191", "NJW1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N1191 | New Jersey Semiconductor |
Diode 50V 40A 2-Pin DO-5 |
|
1N1191A | New Jersey Semiconductor |
Diode 50V 40A 2-Pin DO-5 |
|
2SA1191 | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SA1190, 2SA1191
Silicon PNP Epitaxial
Application
• Low frequency low noise amplifier • Complementary pair with 2SC2855 and 2SC2856
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SA1190, 2SA1191
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base volta |
|
2SD1191 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors Ordering number:925E
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors
2SB881/2SD1191
Driver Applications
Applications
· Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator control.
Features
· High DC current gain. · High current capacity and wide |
|
2SD1191 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Darlington Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1191
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @IC= 3.5A ·Low Saturation Voltage ·Complement to Type 2SB881
A |
|
2SK1191 | Sanken electric |
MOSFET ( Transistor ) 2SK1191
Absolute Maximum Ratings
Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) PD EAS Tch Tstg Ratings 60 ± 20 ± 30 ± 120 (Tch 150ºC)
(Ta = 25ºC)
External dimensions 1 ...... FM20
Electrical Characteristics
Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS VTH Re (yfs) RDS (on) Ciss Coss t on t off 2.0 13 20 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |