DataSheet26.com


NJW1191 даташит

Функция этой детали – «4-channel ElectronIC Volume».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NJW1191 New Japan Radio
New Japan Radio
  4-channel Electronic Volume

NJW1191 4-channel Electronic Volume with Input Selector !GENERAL DESCRIPTION !PACKAGE OUTLINE NJW1191 is 4-channel Electronic Volume with input selector. It includes main volume, balance and fader trim, 4 inputs selector, loudness and tone control. NJW1191 performs low noise and low distortion characteristics with resistance ladder type electrical volume. 2 All of internal status and variables are controlled by I C BUS interface. NJW1191V !FEATURES ●Operating Voltage ●I2C BUS Interface ●Low Output Noise ●Low Dis
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1191", "NJW1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N1191 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 50V 40A 2-Pin DO-5

pdf
1N1191A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode 50V 40A 2-Pin DO-5

pdf
2SA1191 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon PNP Epitaxial

2SA1190, 2SA1191 Silicon PNP Epitaxial Application • Low frequency low noise amplifier • Complementary pair with 2SC2855 and 2SC2856 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SA1190, 2SA1191 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base volta
pdf
2SD1191 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors

Ordering number:925E PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors 2SB881/2SD1191 Driver Applications Applications · Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator control. Features · High DC current gain. · High current capacity and wide
pdf
2SD1191 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN Darlington Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1191 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @IC= 3.5A ·Low Saturation Voltage ·Complement to Type 2SB881 A
pdf
2SK1191 Sanken electric
Sanken electric

MOSFET ( Transistor )

2SK1191 Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) PD EAS Tch Tstg Ratings 60 ± 20 ± 30 ± 120 (Tch 150ºC) (Ta = 25ºC) External dimensions 1 ...... FM20 Electrical Characteristics Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS VTH Re (yfs) RDS (on) Ciss Coss t on t off 2.0 13 20
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты