|
NLAS3799BL даташитФункция этой детали – «Dual Dpdt Ultra Low Ron Switch». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NLAS3799BL | ON Semiconductor |
Dual DPDT Ultra Low RON Switch NLAS3799B, NLAS3799BL
Dual DPDT Ultra-Low RON Switch
The NLAS3799B is an ultra−low RON dual DPDT and a 0.5 W RON analog switch. This device is designed for low operating voltage, high current switching of speaker output and earpiece for cellphone applications. It can switch a balanced stereo output. The NLAS3799B can handle a balanced microphone/speaker/ring−tone generator in a monophone mode. The device contains a break−before−make (BBM) feature.
Features
• Single Supply Operation
1.65 to 4.5 V VCC Function |
Это результат поиска, начинающийся с "3799BL", "NLAS379" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3799 | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3799A | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3799B | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
2N3799 | Seme LAB |
PNP/ LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTOR LAB
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
5.84 (0.230) 5.31 (0.209) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178)
SEME
2N3799
PNP , LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTOR
5.33 (0.210) 4.32 (0.170)
FEATURES
• SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR • CECC SCREENING OPTIONS • LOW NOISE AMPLIFIER |
|
2N3799 | Semicoa Semiconductor |
Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN Data Sheet No. 2C2605
Chip Type 2C2605 Geometry 0220 Polarity NPN
Generic Packaged Parts: 2N2604, 2N2605, 2N3798, 2N3799, 2N3810, 2N3811
Chip type 2C2605 by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices.
Part Numbers:
2N2604, 2N2605, 2N3789, 2N3799, 2N38 |
|
2N3799 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 3-Pin TO-18 Box |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |