DataSheet26.com


NM29N16 даташит

Функция этой детали – «16 Mbit (2m X 8 Bit) Cmos Nand».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
NM29N16 National Semiconductor
National Semiconductor
  16 MBit (2M x 8 Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM

NM29N16 16 MBit (2M x 8 Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM February 1996 NM29N16 16 MBit (2M x 8 Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM General Description The NM29N16 is a 16 Mbit (2 Mbyte) NAND FLASH The device is organized as an array of 512 blocks each consisting of 16 pages Each page contains 264 bytes All commands and data are sent through eight I O pins To read data a page is first transferred out of the array to an on-chip buffer Sending successive read pulses (RE low) reads out successive bytes of data The
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "29N16", "NM29"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
KM29N16000 Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 8-Bit NAND Flash Memory

pdf
KM29N16000AIT Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 8-Bit NAND Flash Memory

pdf
KM29N16000AT Samsung Electronics
Samsung Electronics

2M x 8-Bit NAND Flash Memory

pdf
2916 Allegro MicroSystems
Allegro MicroSystems

DUAL FULL-BRIDGE PWM MOTOR DRIVER

2916 UDN2916B OUT 1A OUT 2A E2 SENSE 2 OUT 2B GROUND GROUND I 02 DUAL FULL-BRIDGE PWM MOTOR DRIVER VBB LOAD SUPPLY E1 SENSE 1 OUT 1B I 01 GROUND GROUND I 11 PHASE 1 V REF 1 RC 1 LOGIC SUPPLY 1 2 3 4 5 6 7 8 2 24 23 1 22 21 20 19 18 17 The UDN2916B, UDN2916EB, and UDN2916LB
pdf
2N2916 Seme LAB
Seme LAB

DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE

LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 8.51 (0.335) 9.40 (0.370) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 1.02 (0.040) Max. SEME 2N2914 2N2916 2N2918 DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE 12.7 (0.500) Min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) 5.08 (0.200) 2.54 (
pdf
2N2916 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты