|
NM29N16 даташитФункция этой детали – «16 Mbit (2m X 8 Bit) Cmos Nand». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NM29N16 | National Semiconductor |
16 MBit (2M x 8 Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM NM29N16 16 MBit (2M x 8 Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM
February 1996
NM29N16 16 MBit (2M x 8 Bit) CMOS NAND FLASH E2PROM
General Description
The NM29N16 is a 16 Mbit (2 Mbyte) NAND FLASH The device is organized as an array of 512 blocks each consisting of 16 pages Each page contains 264 bytes All commands and data are sent through eight I O pins To read data a page is first transferred out of the array to an on-chip buffer Sending successive read pulses (RE low) reads out successive bytes of data The |
Это результат поиска, начинающийся с "29N16", "NM29" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KM29N16000 | Samsung Electronics |
2M x 8-Bit NAND Flash Memory |
|
KM29N16000AIT | Samsung Electronics |
2M x 8-Bit NAND Flash Memory |
|
KM29N16000AT | Samsung Electronics |
2M x 8-Bit NAND Flash Memory |
|
2916 | Allegro MicroSystems |
DUAL FULL-BRIDGE PWM MOTOR DRIVER 2916
UDN2916B
OUT 1A OUT 2A E2 SENSE 2 OUT 2B GROUND GROUND I
02
DUAL FULL-BRIDGE PWM MOTOR DRIVER
VBB LOAD SUPPLY E1 SENSE 1 OUT 1B I 01 GROUND GROUND I 11 PHASE 1 V REF 1 RC 1 LOGIC SUPPLY
1 2 3 4 5 6 7 8 2
24 23
1
22 21 20 19 18 17
The UDN2916B, UDN2916EB, and UDN2916LB |
|
2N2916 | Seme LAB |
DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE LAB
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
8.51 (0.335) 9.40 (0.370) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 1.02 (0.040) Max.
SEME
2N2914 2N2916 2N2918
DUAL NPN PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE
12.7 (0.500) Min.
0.41 (0.016) 0.53 (0.021) 5.08 (0.200) 2.54 ( |
|
2N2916 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |